末沢 正志 | 東北大金研
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概要
関連著者
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末沢 正志
東北大金研
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角野 浩二
東北大金研
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長谷川 雅幸
東北大金研
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末澤 正志
東北大金研
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山口 貞衛
千葉工業大学工学部
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河裾 厚男
東北大金研
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山口 貞衛
東北大金研
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角野 浩二
新日鐵・技術開発
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仁科 雄一郎
東北大金研
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河裾 厚男
東北大・金研
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米永 一郎
東北大金研
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粕谷 厚生
東北大金研
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関口 隆史
東北大理
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関口 隆史
東北大・金研
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関口 隆史
金属材料研究所
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関口 隆史
物質・材料研究機構半導体材料センター
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酒井 政道
東北大金研
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奥山 智明
東北大 金研
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本田 達也
東北大金研
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角野 浩二
東北大・金研
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関口 隆史
東北大金研
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岡田 漱平
原研高崎
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須永 博美
原研高崎
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関口 隆史
独立行政法人 物質・材料研究機構
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関口 隆史
物材機構
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岡田 漱平
日本原子力研究所・高崎
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阿部 孝夫
信越半導体
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阿部 孝夫
信越半導体kk
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関口 隆史
物材研
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関口 隆史
物質・材料研究機構ナノマテリアル研究所
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芳賀 徹
東北大金研
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Kawasuso A.
東北大金研
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須永 博美
日本原子力研究所高崎研究所
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堀井 義正
東北大・金研
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河裾 厚男
日本原子力研究所・高崎
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堀井 義正
東北大金研
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原田 博文
信越半導体kk
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阿部 孝夫
信越半導体(株)半導体研究所
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井上 耕治
東北大金研
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永井 康介
東北大金研
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井上 耕治
京大院工
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井上 耕治
東北大 金属材料研
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唐 政
華東師範大学
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千葉 利信
東北大学金属材料研究所
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唐 政
東北大金研
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今井 賢
東北大金研
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大窪 秀明
東北大金研
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米永 一郎
東北大
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赤羽 隆史
無機材研
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千葉 利信
無機材研
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赤羽 隆史
Nims物質研
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赤羽 隆史
物質・材料研究機構
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赤羽 隆史
無機材質研究所
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佐々木 芳朗
石巻専大理工
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黒田 規敬
東北大金研
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酒井 政道
東北大・金研
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佐々木 芳朗
東北大金研
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上浦 洋一
岡山大院・産業創成工学
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角野 浩二
東北大学・金属材料研究所
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末澤 正志
東北大・金研
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粕谷 厚生
東北大・金研
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仁科 雄一郎
東北大・金研究
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末沢 正志
東北大 金研
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米永 一郎
東北大 金研
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角野 浩二
東北大 金研
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長谷川 雅幸
東北大・金研
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山口 貞衛
東北大・金研
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奥山 智明
東北大金研
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蓑和 恭子
東北大金研
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橋本 文雄
岡山大工
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上浦 洋一
岡山大工
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伊藤 学
東大
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田中 一弘
東北大金研
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井上 耕治
京大工
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佐藤 義孝
東北大金研
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高橋 亨
東北大金研
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斉藤 善章
東北大金研
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粕谷 厚生
東北大学際
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伊藤 学
東北大 理
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仁科 雄郎
東北大金研
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斉藤 善章
東北大・金研
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末沢 正志
東北大・金研
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酒井 政道
東北大、金研
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仁科 雄一郎
東北大、金研
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黒田 則敬
東北大、金研
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末沢 正志
東北大、金研
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角野 浩二
東北大、金研
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大窪 秀明
東北大 金属材料研
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高橋 亨
東北大・金研
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末沢 正志
東北大 金属材料研
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西山 多佳子
東北大学・金属材料研究所
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末沢 正志
東北大学・金属材料研究所
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原田 博文
信越半導体
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折戸 文夫
三菱モンサント化成
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原 明人
東北大金研
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坂間 弘
東北大金研
著作論文
- 29a-RC-4 窒素及び酸素を添加したシリコンの光吸収
- 28p-P-11 変形したシリコン結晶中からのD-バンド発光と遷移金属汚染
- 14a-A-5 電子線照射により原子複空孔を導入したSiの陽電子消滅2次元角相関
- 13a-DK-6 Si中の電子線照射誘起欠陥の焼鈍挙動 : 陽電子寿命測定法による分析
- 12p-DK-2 シリコン中の転位とDバンド発光
- 1a-X-7 電子線照射によって生じたシリコン中原子複空孔の陽電子捕獲
- 31pYG-1 陽電子消滅 2 次元角相関法による Si 中性複空孔のヤン・テラー効果の研究
- 29pYC-7 水素添加シリコン中の3d遷移金属不純物
- 27p-H-8 Si中の複原子空孔の陽電子消滅法を用いた研究
- 27a-ZN-4 塑性変形した半導体の陽電子消滅
- 28a-K-10 陽電子消滅法によるSi中の複原子空孔の研究
- 29a-RC-6 シリコンの格子振動と正孔の相互作用 : Fano効果
- 4p-Z-6 変形したInP中の陽電子消滅
- 5p-K-11 ハロゲン架橋白金錯体における光誘起ESRの温度依存性
- カソードルミネッセンス観察装置用冷却系及び分光器ステージの試作
- 31a-E-6 SiGe混晶中の金及び鉄のエネルギーレベル
- 3p-M-5 Si-Ge混晶中の深い不純物レベル
- 3p-M-4 変形したシリコン・ゲルマニウム混晶のフォトルミネッセンス
- 2p-F-12 Si中の新しい熱ドナーの光学的性質
- 24a-T-5 シリコン中の熱ドナー及び断熱ドナー形成過程
- 31p-F-5 塑性変形及び電子線照射したInPの工学的性質 (II)
- 2p-T-3 変形したシリコンのフォトルミネッセンス(III) : 応力依存性
- 24a-T-6 砒化ガリウム中のドナー・アクセプター対による発光
- 2p-Z-8 熱処理したシリコン添加砒化ガリウムのフォトルミネッセンス
- 2p-F-13 Siを添加したGaAsのフォトルミネッセンス
- 27p-K-4 砒化ガリウム中のEL2の消滅、生成
- 29a-RC-12 熱処理した砒化ガリウムの光吸収
- 1p-M2-2 砒化ガリウム中のEL2生成過程(格子欠陥)
- 1a-D4-7 塑性変形したガリウムヒ素結晶のDLTS(1a D4 格子欠陥,格子欠陥)
- 31p-T-6 塑性変形及び電子線照射したInPの光学的性質(31pT 格子欠陥)
- 31p-FA-8 過飽和に酸素を含むシリコン中の塑性変形ドナー(31p FA 格子欠陥)
- 30a-LG-5 シリコン中の窒素-酸素複合体形成過程(格子欠陥)
- 31a-P-2 ハロゲン架橋擬一次元白金錯体のESRとキンク構造(31aP 分子性結晶・液晶・有機半導体(白金錯体他))