上浦 洋一 | 岡山大院・産業創成工学
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概要
関連著者
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上浦 洋一
岡山大院・産業創成工学
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橋本 文雄
岡山大工
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山下 善文
岡山大院・産業創成工学
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上浦 洋一
岡山大工
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上浦 洋一
岡山大・工
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山下 善文
岡山大工
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橋本 文雄
岡山大・工
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石山 武
岡山大院・産業創成工学
-
米田 稔
岡理大・理
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石山 武
岡山大工
-
山下 善文
岡山大・工
-
福田 和久
岡山大工
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石山 武
岡山大・工
-
米田 稔
岡山大・工
-
山下 善文
岡山大院自然
-
石山 武
岡山大院自然
-
上浦 洋一
岡山大院自然
-
包 那木拉
岡山大・工
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佐藤 公泰
岡山大学大学院・自然科学研究科
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岩上 泰之
岡山大・工
-
前田 孝
岡山工大
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竹内 良宜
岡山大工
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柳野 公治
岡山大・工
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前原 睦
岡山大・工
-
徳田 豊
愛知工大
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坂本 佳史
岡山大院自然
-
佐藤 公泰
岡山大・工
-
宮迫 毅明
岡山大工
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石賀 展昭
岡山大工
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松田 能道
岡山大工
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林 真佐雄
岡山大工
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朱 莎
岡山大工
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筒江 誠
岡山大・工
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岡下 敏彦
岡山大工
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前田 康二
東大工
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末沢 正志
東北大金研
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角野 浩二
東北大金研
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中村 修二
日亜化学工業
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中村 修二
日亜化学工業(株)第二部門開発部
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中村 修二
カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料物性工学部
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前田 康二
東大・工
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上浦 洋一
岡山大学大学院自然科学研究科産業創成学専攻
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友景 肇
福大工
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友景 肇
福岡大学
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服部 武志
阪大工
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三石 明善
阪大工
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本田 博嗣
岡山大・工
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三石 明善
阪大工応物
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徳田 豊
愛知工学部工学部電子工学科
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宇野 裕
岡山大・工
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大久保 孝一
岡山大・工
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朱 莎
岡山大・工
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西笛 秀樹
岡山大・工
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高橋 学
福工大
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中川 良輔
岡山大院自然
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出羽 哲也
岡山大院自然
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服部 武志
阪大・工
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吉田 正幸
吉田半導体研究所
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鶴野 怜治
九州芸工大
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檜垣 圭
岡山大院・産業創成工学
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水川 英之
岡山大院・産業創成工学
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竹中 俊明
岡山大院・産業創成工学
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朝日 淳平
岡山大院・産業創成工学
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山下 善文
岡山大学大学院・自然科学研究科
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石山 武
岡山大学大学院・自然科学研究科
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米山 修蔵
岡山大工
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塩谷 俊行
岡山大工
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岩上 泰之
岡山大工
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福島 篤史
岡山大工
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山本 育尚
岡山大工
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上浦 洋一
岡山大学工学部
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福田 和久
岡山大学工学部
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山下 善文
岡山大学工学部
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福永 拓也
岡山大工
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JYOBE F.
岡山大・工
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上浦 洋一
岡山工大
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竹内 良宜
岡山工大
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橋本 文雄
岡山工大
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前田 孝
岡山大工
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石丸 正弥
岡山大工
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前田 孝
岡山大・工
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納 勝善
岡山大・工
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岡下 敏彦
岡山大・工
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寺尾 浩文
岡山大・工
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東大物性研
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山野 耕治
阪大工
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松永 拓也
横浜市大理
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西山 佳秀
岡山大工
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大山 重紀
岡山大工
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条辺 文彦
岡山大工
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箱田 善弘
岡山大工
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井上 景介
岡山大工
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松永 啓一
岡山大工
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岡田 丈二
岡山大・工
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中村 修二
日亜化学工業(株)開発部
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山路 敏文
岡山大・工
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松永 拓也
岡山大学院自然
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山下 善文
岡山大学院自然
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池松 淳
岡山大工
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石山 武
岡山大学院自然
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上浦 洋一
岡山大学院自然
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船木 透
岡山大学院自然
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松永 拓也
岡山大院自然
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船木 透
岡山大院自然
-
種本 寛
岡山大院自然
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伏見 竜也
岡山大工
著作論文
- 12p-DK-8 CZSiの酸素析出に及ぼす前熱処理の効果
- 25a-T-9 GaN中のMg-H複合欠陥の分解に対する電子励起効果
- 28pXD-3 SiGe膜中への水素侵入に対する格子歪の影響(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pYM-3 水素によるGe基板上GeSi膜の歪み緩和促進効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27p-K-2 急冷したGe中の深いアクセプタ型欠陥
- 26pYL-7 Si中のPの準格子間機構1結合型移動での移動確率
- 25pYK-4 Si中Pt-H欠陥の局在振動に対する一軸性応力効果(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25pYK-3 水蒸気プラズマ処理によるInGaNの発光増大(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21pYM-2 Si中の白金近傍における水素の運動(格子欠陥・ナノ構造(半導体・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pYM-1 一軸性応力によるSi中Pt-H_2欠陥のエネルギー変化(格子欠陥・ナノ構造(半導体・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27aYM-5 応力によるSi中Erの発光の増大(領域10, 領域4合同格子欠陥・ナノ(半導体),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 15aTJ-7 Si 中 Pt-H_2 欠陥の応力配向緩和過程 (I)(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 15aTJ-8 Si 中の炭素及び白金不純物近傍における水素運動の比較研究(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 21pXA-11 p 型 Si 基板上 SiGe 膜の電気的特性に対する水素処理の影響
- 21pXA-10 Si 中の白金近傍での水素運動ダイナミクス
- 31pYG-8 p 型 Si 基板及び SiGe エピ膜中の B の挙動に対する水素の効果
- 17pTG-7 シリコン中の白金-水素関連欠陥の構造と電子準位
- 29pYC-11 水素によるGe中の転位運動促進効果
- 29pYC-10 水素によるSi中Pイオン注入欠陥の回復促進効果
- 24aY-2 Si中のH-C複合欠陥の電子準位に対する一輪性応力効果
- 31a-ZA-8 Si中のH-C複合欠陥における水素の内部運動(II)
- シリコン中の水素-炭素複合欠陥の構造と水素の局所運動
- 25a-T-10 Si中のH-C複合欠陥における水素の内部運動
- 27a-T-2 SiGeエピ膜中の転位運動に対する水素の影響
- 1p-T-6 半導体中の転位運動に及ぼす水素の効果
- 29p-YC-5 Siサーマルドナーの消滅過程
- 4a-YG-8 Siのサーマルドナーの消滅と欠陥の形成
- 12p-DK-9 Si中のサーマル・ドナーの形成・消滅に対する炭素の効果
- 30p-ZN-9 シリコン中の水素の低温拡散
- 28a-D-13 Si中の水素-炭素複合体の再結合促進分解反応
- 29p-K-13 シリコン中の水素-炭素複合体の形成過程
- 24a-T-7 Si中の水素に関係した欠陥の光照射下での消滅過程
- 2p-Z-13 化学エッチングによりn型Si中に導入される欠陥
- 2p-F-2 Si中の欠陥の光照射促進反応
- 3p-Q-9 n型Si中の欠陥のアニールに対する光照射効果
- 5p-A3-10 急冷したp型Si中のDeep-Levelのアニール挙動
- 26a-G-12 急冷ゲルマニウムの遠赤外物性
- 28pYC-4 Si中の水素拡散における荷電効果
- 29a-P-3 Si中H-C複合体の光誘起分解機構
- 31a-E-12 Si中の水素-炭素複合体 II : 一軸性応力効果
- 31a-E-11 Si中の水素-炭素複合体 I : 安定性
- 29a-E-5 シリコン中の転位運動に及ぼす水素プラズマ照射効果
- 3p-M-6 Si中のH-C複合体の荷電状態誘起反応
- 27p-N-8 Si中の水素-炭素複合体の安定性と分解機構
- 4a-YG-9 CZ・Si中のニュードナー消滅と酸素の析出
- 4a-YG-5 Si中H-C複合体の光誘起分解機構-II
- 12p-DK-11 p型Si中の水素-炭素複合欠陥の性質
- 29p-D-5 Si中の水素一炭素複合体の電子励起効果
- 27p-H-1 シリコン中の水素の荷電状態
- 29p-K-5 応力印加DLTS法によるCZシリコン中のサーマル・ドナーの研究
- 24a-T-3 CZシリコン中のNew Donorの形成・消滅過程
- 2p-F-12 Si中の新しい熱ドナーの光学的性質
- 2p-F-11 CZシリコン中のNew Donor形成に対する炭素の効果
- 3p-Q-8 CZシリコン中のnew donorのoriginについて
- 3p-Q-7 CZシリコン中のthermal donor形成に対する炭素の効果
- 5p-A3-9 急冷したn型Si中のDeep-Levelのアニール挙動
- 8p-S-2 Si中のサーマルドナーの消滅過程
- 22aGQ-13 Si基板上SiGe薄膜中の転位運動に対する不純物ドープの影響(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 25a-T-8 Si中のサーマルドナーの非熱的消滅
- 6p-S-4 Si中のH-C複合欠陥の構造と電子状態(実験)
- 24pCD-7 Si基板上SbドープSiGe薄膜中の転位運動(24pCD 格子欠陥・ナノ構造(転位・力学特性),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 6pSL-7 Si中のPt-H2複合欠陥の対称性とPt近傍での水素の運動(不純物・格子欠陥,領域10,領域4合同,領域10)