吉田 正幸 | 吉田半導体研究所
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概要
関連著者
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吉田 正幸
吉田半導体研究所
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高橋 学
福工大
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吉田 正幸
Yoshida Semiconductor Laboratory
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友景 肇
福大工
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友景 肇
福岡大学
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師岡 正美
福岡工大工
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師岡 正美
福工大
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師岡 正美
福岡工業大学電気工学科
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吉田 正幸
九州芸工大
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師岡 正美
福岡工大
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高橋 学
福岡工大
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高橋 学
福岡工業大学電子情報工学科
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田中 秀司
福岡工業大学電子情報工学科
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植松 真司
NTT基礎研
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高橋 学
福岡工業大学
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田中 秀司
福岡工業大学
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上浦 洋一
岡山大院・産業創成工学
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上浦 洋一
岡山大工
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杉田 吉充
富山大・理
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杉田 吉充
富山大理物理
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師岡 正美
福岡工業大学工学部電気工学科
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高橋 定
九州計測器株式会社
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荒井 英輔
名工大
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田中 秀司
福岡工業大学電子材料工学科
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田中 秀司
福工大・工
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鶴野 怜治
九州芸工大
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鶴野 玲児
九州芸工大
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岡村 好庸
宇部工業高等専門学校電気工学科
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師岡 正美
福岡工業大学
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杉田 吉充
富山大理
著作論文
- 2p-F-7 シリコン中の金拡散と積層欠陥
- 28aXT-6 シリコン中のリン拡散におけるplateau,rapid fallおよびtailの形成機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 24pY-6 空孔および格子間原子機構対拡散モデルに基づくSi中のPの実効拡散係数および律速過程
- 多準位不純物における電子占有確率
- 26pYL-7 Si中のPの準格子間機構1結合型移動での移動確率
- 29a-ZA-5 Si中のP拡散への酸化および窒化効果の解析
- 25p-T-7 x/√の関数としてのSi中のp拡散密度分布から求められるp実効拡散係数
- 7a-S-6 不純物-点欠陥連立拡散方程式の数値解における境界条件
- 30p-E-5 Si中のsplit-interstitial移動の図的模型
- 24a-T-1 シリコン中金拡散によって発生した積層欠陥の金拡散に及ぼす影響
- シリコン中の金の連続回復
- 5p-A3-8 Si中の電気的活性Auと点欠陥
- Mechanism of Formation of Plateau, Rapid Fall and Tail in Phosphorus Diffusion Profile in Silicon Based on Pair Diffusion Models of Vacancy and Interstitial Mechanisms
- 固体中の多数の電子のランダム運動平均自由時間に対する2種類の定義
- Si中のP拡散への空孔機構および準格子間機構対拡散モデルの適用
- 3p-M-13 Si中のP, As拡散への準格子間機構対拡散モデル適用に関する提案
- シリコン結晶中のリン拡散におけるリン-空孔対拡散モデル
- 27a-N-8 対拡散モデルに基づくSi中のP異常拡散
- Diffusion Equation of Phosphorus in Silicon Based on the Pair Diffusion Models of Vacancy and Interstitial Mechanisms