師岡 正美 | 福岡工業大学電気工学科
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概要
関連著者
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師岡 正美
福岡工業大学電気工学科
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師岡 正美
福岡工大工
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師岡 正美
福岡工業大学
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師岡 正美
福岡工業大学工学部電気工学科
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TOMOKAGE Hajime
Department of Electronics, Fukuoka University
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MOROOKA Masami
Department of Electrical Engineering, Fukuoka Institute of Technology
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Tomokage H
Fukuoka Univ. Fukuoka Jpn
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Tomokage Hajime
Department Of Electronics Fukuoka University
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Tomokage Hajime
Department Of Electronics Faculty Of Engineering Fukuoka University
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Tomokage Hajime
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Kyushu University
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Morooka Masami
Department Of Electrical Engineering Fukuoka Institute Of Technology
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Yoshida M
Functional Materials Research Laboratories Nec Corporation
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Yoshida M
Yoshida Semiconductor Lab. Fukuoka Jpn
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YOSHIDA Masayuki
Kyushu Institute of Design
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Yoshida M
National Institute Of Advanced Industrial And Science Technology (aist)
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松尾 敬二
福岡工大
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松尾 敬二
福岡工業大学
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吉田 正幸
吉田半導体研究所
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吉田 正幸
Yoshida Semiconductor Laboratory
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工藤 孝一
福岡工業大学
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工藤 孝一
福岡大学 工学部電気工学科
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梶原 寿了
福岡工業大学
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柏崎 英徳
福岡工業大学
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松尾 敬二
福岡工業大
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梶原 寿了
福岡工業大学工学部電気工学科
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工藤 孝一
福岡工業大学工学部電気工学科
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豊福 正治
福岡工業大学工学部電気工学科
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師岡 正美
福岡工大
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豊福 正治
福岡工業大学
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田中 秀司
福岡工業大学
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高原 健爾
福岡工業大学
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山口 俊尚
福岡工業大学
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今村 正明
福岡工大
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辻野 太郎
福岡工業大学
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池田 和生
福岡工業大学
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今村 正明
福岡工業大学
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大山 和宏
福岡工業大学工学部電気工学科
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武田 薫
福岡工業大学工学部電気工学科
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野口 正紀
福岡工業大学工学部電気工学科
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山根 敬久
福岡工業大学工学部電気工学科
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田中 秀司
福岡工業大学電子情報工学科
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野口 正紀
Fukuoka Institute of Technology
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高橋 学
福工大
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田中 秀司
福岡工業大学電子材料工学科
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KITAGAWA Hajime
Department of Electronic Materials Engineering, Fukuoka Institute of Technology
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師岡 正美
福工大
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Kitagawa H
Canon Inc. Utsunomiya Jpn
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Kitagawa Hajime
Deportment Of Information Electronics Fukuoka Institute Of Technology
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Kitagawa Hajime
Production-systems Engineering Toyohashi University Of Technology
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MIYAMOTO Tokuo
Department of Electronics, Faculty of Engineering, Fukuoka University
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山根 敬久
福岡工業大学
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上田 文人
福岡工大
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今村 正明
福岡工業大学電気工学科
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Kitagawa Hajime
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Kyushu University
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Miyamoto T
Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn
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Miyamoto Tokuo
Department Of Electronics Engineering And Computer Science Faculty Of Engineering Fukuoka University
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野口 正紀
福岡工業大学
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大山 和宏
福岡工業大学
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松本 智
慶應義塾大学理工学研究科
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友景 肇
福大工
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友景 肇
福岡大学
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松本 智
慶応大学
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高橋 学
福岡工業大学電子情報工学科
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高橋 定
九州計測器株式会社
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田中 秀司
福工大・工
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高橋 学
福岡工業大学
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Hirota Shouichi
Department of Electronics, Fukuoka University
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Hirota Shouichi
Department Of Electronics Fukuoka University
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YAMAKAWA Tetsuya
Department of Electronics Engineering, Fukuoka University
-
Yamakawa T
Department Of Electronics Engineering Fukuoka University:(present Address)fujitsu Ltd.
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邵 静武
福岡工大
著作論文
- 福岡工業大学電気工学科の創成型・動機付教育を目的とした電気工学概論
- 福岡工業大学電気工学科の創成型・動機付教育を目的とした電気工学概論
- 電気基礎学実験の改革の試み(2)
- シリコン中過飽和金原子の回復熱処理時濃度分布
- 28aXT-6 シリコン中のリン拡散におけるplateau,rapid fallおよびtailの形成機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 24pY-6 空孔および格子間原子機構対拡散モデルに基づくSi中のPの実効拡散係数および律速過程
- Mechanism of Formation of Plateau, Rapid Fall and Tail in Phosphorus Diffusion Profile in Silicon Based on Pair Diffusion Models of Vacancy and Interstitial Mechanisms
- Changes of DLTS Spectrum with Gold Concentration and Gold-Diffusion Temperature in N-Type Silicon
- Annealing of Supersaturated Low-Temperature Substitutional Gold in Silicon
- A Simple Method to Determine λ from Isothermal Capacitance Measurements
- Three States of Substitutional Gold in Silicon
- Effect of Annealing Method upon Annealing Characteristics of Supersaturated Substitutional Gold in Silicon
- 電気基礎学実験の改革の試み
- Fraction of Interstitialcy Component of Phosphorus Diffusion in Silicon in Intrinsic State
- 直流バイアス印加整流法による微小の交流電圧の整流
- 電子なだれ形定電圧ダイオ-ドの電圧-電流特性
- シリコン中積層欠陥の金導入による発生・成長と金回復による縮小・消滅のメカニズム
- Diffusion Equation of Phosphorus in Silicon Based on the Pair Diffusion Models of Vacancy and Interstitial Mechanisms
- Reverse Recovery Time of Junction Diodes with High Capture Rate of Minority Carriers in the Low Injection Level
- Study of Numerical Solution of Phosphorus Diffusion Equation in Silicon Based on the Diffuion Equation
- Javaによる非線形拡散方程式(解離機構・kick-out機構)の数値解
- 27aRB-5 Si中過飽和高温置換Au回復過程で発生するAu集合体中のAu原子数分布(27aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 点欠陥が関与する位置交換型不純物拡散の数値解法とSi中Au拡散に対する計算例
- 28pXD-4 Si中過飽和高温置換Au回復過程でのAu集合体のSIMS観測(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 31pYG-9 Si 中低温置換金回復に関与する欠陥
- 800℃と900℃でのシリコン中金拡散の本質的相違と900℃拡散での点欠陥の寄与
- 17pTG-6 850℃上下温熱処理によるシリコン中金濃度分布の本質的相違
- 24pY-7 シリコン中過飽和置換金原子の外方拡散プロフィル
- 点欠陥が関与するSi中Au拡散数値解における各定数と境界および初期条件
- Improvement in Sensitivity for Brief Measurement of Diffusion Profiles ofDeep Impurities in Semiconductors Based on a Capacitance Measurement on an Angle-Lapped Surface