松本 智 | 慶應義塾大学理工学研究科
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概要
関連著者
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松本 智
慶應義塾大学理工学研究科
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松本 智
慶應義塾大学
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仲川 博
独立行政法人産業技術総合研究所
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仲川 博
電子技術総合研究所
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青柳 昌宏
電子技術総合研究所
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寺嶋 一高
湘南工科大学
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寺嶋 一高
湘南工科大学マテリアル工学科
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西村 鈴香
湘南工科大学マテリアル工学科
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瀬川 徹
慶應義塾大学 大学院 理工学研究科 電気工学専攻
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前澤 正明
電子技術総合研究所
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松本 智
慶應義塾大学 大学院 理工学研究科 電気工学専攻
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松本 智
慶応大学
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山本 圭一
慶應義塾大学理工学部
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吉田 正幸
Yoshida Semiconductor Laboratory
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黒沢 格
日本女子大学理学部数物科学科
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仲川 博
独立行政法人産業総合研究所
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青柳 昌宏
東京理科大学大学院:独立行政法人産業技術総合研究所
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田中 秀司
福岡工業大学
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石井 彰三
東京工業大学
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阿部 孝夫
信越半導体(株)半導体研究所
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和田 一実
マサチューセッツ工科大
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和田 一実
信越半導体
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竹内 智彦
慶應義塾大学理工学研究科
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佐久間 智教
慶應義塾大学理工学研究科
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西村 鈴香
慶應義塾大学・理工
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寺嶋 一高
湘南工大・工
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行村 建
同志社大学
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黒沢 格
電子技術総合研究所
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石井 彰三
東京工大
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吉田 正幸
九州芸工大
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永沼 充
NTT光エレクトロニクス研究所
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阿部 孝夫
信越半導体
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永沼 充
Ntt
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師岡 正美
福岡工業大学工学部電気工学科
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栗山 博之
三洋電機株式会社,株式会社ジーティシー
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室田 淳一
東北大学 電気通信研究所
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黒沢 格
日本女子大理
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ヒルマン イルワン
慶應義塾大学
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オスマン ヒルマン
慶應義塾大学
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田中 秀司
福岡工業大学電子材料工学科
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松本 智
慶応義塾大学
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中林 幸雄
慶應義塾大学
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豊永 一成
慶應義塾大学
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横田 香織
慶應義塾大学
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黒沢 格
日本女子大
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松本 智
慶大工
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新美 達也
慶大工
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鈴木 啓恭
慶應義塾大学理工学部
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栗山 博之
三洋電機株式会社研究開発本部
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師岡 正美
福岡工大工
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師岡 正美
福岡工業大学電気工学科
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師岡 正美
福岡工業大学
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松本 智
慶應義塾大学理工学部電子工学科
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行村 建
同志社大学工学部
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松本 智
慶応大学電気工学科
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柏原 慶一
慶応大学電気工学科
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牧 浩文
慶応大学電気工学科
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新美 達也
東海大学工学部応用物理
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中林 幸雄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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竹内 智彦
慶應義塾大学
著作論文
- 17pB08 Si(100)基板上へのBP(100)エピタキシャル成長と評価(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
- Si(100)基板上へのc-GaNの成長 : エピタキシャル成長II
- 高純度単一同位体Siのエピタキシャル成長と自己拡散への応用
- GS-MBEの選択成長を用いたc-Si/SiO_2低次元構造の作製
- GS-MBEの選択成長を用いたc-Si/SiO_2低次元構造の作製
- "極限"に向かうレ-ザ技術
- Fraction of Interstitialcy Component of Phosphorus Diffusion in Silicon in Intrinsic State
- 12p-Q-2 シリコンへの燐拡散における表面効果
- 超伝導NbNゲートMOSFETの作製と低温におけるその電気特性
- 超伝導ゲート電極を用いたnMOSFETの極低温における特性
- エキシマレーザアニール(ELA)によるSiトランジスタの高性能化
- エキシマレ-ザMOCVDによるa-Si:H/a-AlO超格子の作製とその特性 (量子化機能材料)
- イオン注入シリコンの高温短時間熱アニーリング
- シリコンへの燐拡散における過剰空格子点の発生(研究ノ-ト)
- 高純度同位体を用いた半導体中の自己拡散現象の解明