吉田 正幸 | 九州芸工大
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概要
関連著者
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吉田 正幸
九州芸工大
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吉田 正幸
Yoshida Semiconductor Laboratory
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師岡 正美
福岡工大
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北川 興
九大工
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北川 興
福岡工業大学電子材料工学科
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橋本 公夫
九大工
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高橋 学
福工大
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高橋 学
福岡工大
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吉田 正幸
吉田半導体研究所
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沖野 隆久
日本文理大学工学部数学教室
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沖野 隆久
日本文理大学工学部
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友景 肇
福大工
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松本 智
慶應義塾大学理工学研究科
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松本 智
慶応大学
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杉田 吉充
富山大・理
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杉田 吉充
富山大理物理
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松本 智
慶大工
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新美 達也
慶大工
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上田 文人
福岡工大
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友影 肇
福大工
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友景 肇
福岡大工
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杉田 吉充
富山大理
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米谷 伸乏
福大工
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石川 豊
日工大
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松本 智
慶大理工
著作論文
- 30a-T-4 Ge中のCuの導入及び回復(II)
- 30a-T-3 Kick-Out拡散の基本方程式の数値解
- 2p-NJ-13 Kick-out Mechanismによる拡散における基本仮定の判定条件
- 1a-G-12 Ge中のCuの導入及び回復
- 2p-F-7 シリコン中の金拡散と積層欠陥
- 24a-T-1 シリコン中金拡散によって発生した積層欠陥の金拡散に及ぼす影響
- 5p-A3-8 Si中の電気的活性Auと点欠陥
- 12p-Q-2 シリコンへの燐拡散における表面効果
- 14a-L-2 シリコン中の金の回復
- 2p-Z-11 Si中の酸化増速(減速)拡散および酸化積層欠陥に関する1時間3方程式解法
- 2p-F-6 Si中の酸化増速(減速)拡散および積層欠陥の解析
- 29a-P-7 シリコン中の不純物拡散 : 特にV族不純物の対拡散モデルについて
- 12p-DK-3 対拡散モデルおよび通常拡散モデルに基づくSi中のAs拡散
- 27p-H-6 Siにおける空孔形成エネルギーのP濃度増加による減少
- 29p-K-6 対拡散モデルの基礎条件
- 5p-A3-4 格子間原子と空孔の拡散方程式におけるフレンケル欠陥生成消滅項の効果
- 27p-K-1 シリコン中の高温置換金の拡散と点欠陥
- 14a-L-1 シリコン中のリン拡散
- 30p-SG-13 シリコン中の金の導入と回復
- 30a-T-2 解離機構によるシリコン中の拡散金分布の計算
- 3a-P-2 固体での化学反応における成分
- 31a GH-6 シリコン中の砒素拡散における砒素空格子点複合体による空格子点吸収
- 4a-AE-3 シリコン中のリン拡散方程式の数値解V
- 31p-BB-10 シリコン中のリン拡散方程式の数値解 IV
- 9p-P-1 シリコン中のリン拡散方程式の数値解III
- 5a-M-8 シリコン中のリン拡散方程式の数値解 II
- 7a-M-5 不純物空格子点対の化学ポテンシャル
- 10a-N-10 シリコン中リンの異常拡散
- 1p-M2-5 Au拡散SiのDLTSと欠陥(格子欠陥)
- 30a-FA-4 Si酸化増速(減速)拡散および酸化積層欠陥方程式の解(30a FA 格子欠陥)
- 3a-A3-9 シリコン中の金の回復(IV)(3a A3 格子欠陥,格子欠陥)
- 30a-LG-3 シリコン中の高温置換金の回復(II)(格子欠陥)
- 30a-FA-3 シリコン中の高温置換金の回復(30a FA 格子欠陥)