12p-Q-2 シリコンへの燐拡散における表面効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1974-09-20
著者
関連論文
- 17pB08 Si(100)基板上へのBP(100)エピタキシャル成長と評価(半導体エピ(4),第35回結晶成長国内会議)
- Si(100)基板上へのc-GaNの成長 : エピタキシャル成長II
- 30a-T-4 Ge中のCuの導入及び回復(II)
- 30a-T-3 Kick-Out拡散の基本方程式の数値解
- 2p-NJ-13 Kick-out Mechanismによる拡散における基本仮定の判定条件
- 1a-G-12 Ge中のCuの導入及び回復
- 高純度単一同位体Siのエピタキシャル成長と自己拡散への応用
- 2p-F-7 シリコン中の金拡散と積層欠陥
- 24a-T-1 シリコン中金拡散によって発生した積層欠陥の金拡散に及ぼす影響
- 5p-A3-8 Si中の電気的活性Auと点欠陥
- GS-MBEの選択成長を用いたc-Si/SiO_2低次元構造の作製
- GS-MBEの選択成長を用いたc-Si/SiO_2低次元構造の作製
- Mechanism of Formation of Plateau, Rapid Fall and Tail in Phosphorus Diffusion Profile in Silicon Based on Pair Diffusion Models of Vacancy and Interstitial Mechanisms
- "極限"に向かうレ-ザ技術
- Fraction of Interstitialcy Component of Phosphorus Diffusion in Silicon in Intrinsic State
- 12p-Q-2 シリコンへの燐拡散における表面効果
- 超伝導NbNゲートMOSFETの作製と低温におけるその電気特性
- 超伝導ゲート電極を用いたnMOSFETの極低温における特性
- 14a-L-2 シリコン中の金の回復
- 2p-Z-11 Si中の酸化増速(減速)拡散および酸化積層欠陥に関する1時間3方程式解法
- 2p-F-6 Si中の酸化増速(減速)拡散および積層欠陥の解析
- 固体中の多数の電子のランダム運動平均自由時間に対する2種類の定義
- Si中のP拡散への空孔機構および準格子間機構対拡散モデルの適用
- 3p-M-13 Si中のP, As拡散への準格子間機構対拡散モデル適用に関する提案
- シリコン結晶中のリン拡散におけるリン-空孔対拡散モデル
- 27a-N-8 対拡散モデルに基づくSi中のP異常拡散
- シリコン結晶の不純物拡散機構
- シリコンにおけるV族不純物拡散
- エキシマレーザアニール(ELA)によるSiトランジスタの高性能化
- Diffusion Equation of Phosphorus in Silicon Based on the Pair Diffusion Models of Vacancy and Interstitial Mechanisms
- Uncorrelated Silicon Self-Diffusion Coefficient via Vacancy Mechanism Obtained by Dissociative Diffusion of nickel
- Study of Numerical Solution of Phosphorus Diffusion Equation in Silicon Based on the Diffuion Equation
- 29a-P-7 シリコン中の不純物拡散 : 特にV族不純物の対拡散モデルについて
- 12p-DK-3 対拡散モデルおよび通常拡散モデルに基づくSi中のAs拡散
- 27p-H-6 Siにおける空孔形成エネルギーのP濃度増加による減少
- 29p-K-6 対拡散モデルの基礎条件
- Comment on"Dependence of Gettering Efficiency on Metal Impurities"
- 拡がり抵抗自動測定装置によるpn接合測定
- 5p-A3-4 格子間原子と空孔の拡散方程式におけるフレンケル欠陥生成消滅項の効果
- Si中のVacancyおよびSelf-Interstitialの酸化雰囲気における挙動-1-
- 27p-K-1 シリコン中の高温置換金の拡散と点欠陥
- ホ-ル起電力への電流電極短絡効果の等角写像法による計算
- 14a-L-1 シリコン中のリン拡散
- 30p-SG-13 シリコン中の金の導入と回復
- エキシマレ-ザMOCVDによるa-Si:H/a-AlO超格子の作製とその特性 (量子化機能材料)
- イオン注入シリコンの高温短時間熱アニーリング
- シリコンへの燐拡散における過剰空格子点の発生(研究ノ-ト)
- 30a-T-2 解離機構によるシリコン中の拡散金分布の計算
- 3a-P-2 固体での化学反応における成分
- 31a GH-6 シリコン中の砒素拡散における砒素空格子点複合体による空格子点吸収
- 4a-AE-3 シリコン中のリン拡散方程式の数値解V
- 31p-BB-10 シリコン中のリン拡散方程式の数値解 IV
- 9p-P-1 シリコン中のリン拡散方程式の数値解III
- 5a-M-8 シリコン中のリン拡散方程式の数値解 II
- 6a-Q-10 シリコン中のリン拡散方程式の数値解
- 7a-M-5 不純物空格子点対の化学ポテンシャル
- 10a-N-10 シリコン中リンの異常拡散
- 基本的な注意
- 高純度同位体を用いた半導体中の自己拡散現象の解明
- 1p-M2-5 Au拡散SiのDLTSと欠陥(格子欠陥)
- 30a-FA-4 Si酸化増速(減速)拡散および酸化積層欠陥方程式の解(30a FA 格子欠陥)
- 3a-A3-9 シリコン中の金の回復(IV)(3a A3 格子欠陥,格子欠陥)
- 30a-LG-3 シリコン中の高温置換金の回復(II)(格子欠陥)
- 30a-FA-3 シリコン中の高温置換金の回復(30a FA 格子欠陥)