高純度単一同位体Siのエピタキシャル成長と自己拡散への応用
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概要
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高純度に精製された^<30>SiH_4を用いて, 通常の同位体組成比を持つ基板の上に^<30>Si層をエピタキシャル成長させた.平坦で結晶性の良いエピタキシャル層を^<30>SiH_4を用いて作製することができた.また, 作製した同位体ヘテロ構造を用いて, 自己拡散に対する高濃度ドーピングの影響を調べた.900℃ではAs, Sbを高濃度にドープした基板ではあまり変化は見られなかったが, Bを高濃度にドープした基板では, 拡散係数が約2倍に増速した.
- 2001-12-13
著者
-
阿部 孝夫
信越半導体(株)半導体研究所
-
和田 一実
マサチューセッツ工科大
-
和田 一実
信越半導体
-
松本 智
慶應義塾大学理工学研究科
-
松本 智
慶應義塾大学
-
阿部 孝夫
信越半導体
-
室田 淳一
東北大学 電気通信研究所
-
ヒルマン イルワン
慶應義塾大学
-
オスマン ヒルマン
慶應義塾大学
-
中林 幸雄
慶應義塾大学
-
豊永 一成
慶應義塾大学
-
横田 香織
慶應義塾大学
-
中林 幸雄
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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