BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース・ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET

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概要

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• The improvement of current drivability and short channel effect is very important for ultrasmall MOS devices technology. SiGe-channel pMOSFETs are one of the most promising devices because hole mobility in the SiGe layers is enhanced. In the previous work, it has been reported that Super self-aligned shallow junction electrode (S3E) MOSFETs formed by selective B-doped SiGe CVD are effective for the suppression of short channel effect. In this paper, it is clarified that the (S3E) pMOSFETs with Si0.65Ge0.35-channel are realized not only with suppression of punch through due to the ultrashallow B-diffused source/drain but also with enhancement of maximum linear transconductance due to the low parasitic resistance, compared to that with the Si-channel fabricated by the same process conditions.

• 社団法人 電気学会の論文
• 2006-09-01

著者

• 土屋 敏章

  島根大学 総合理工学部

• 室田 淳一

  東北大学電気通信研究所

• 櫻庭 政夫

  東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設

• 室田 淳一

  東北大学

• 室田 淳一

  東北大学 電気通信研究所

• 櫻庭 政夫

  東北大学

• Tsuchiya T

  National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Ibaraki Jpn

• 土屋 敏章

  島根大学総合理工学部

• 竹廣 忍

  東北大学電気通信研究所

• Tsuchiya T

  Department Of Electronics Doshisha University

• Tsuchiya Toshiharu

  Faculty Of Engineering Shizuoka University

• Tsuchiya Takenobu

  Department Of Electrical Electronics And Information Engineering Kanagawa University

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