高清浄CVD法によるBドープSi_<1-x>Ge_x薄膜の形成

概要

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高清浄ホットウォール型減圧CVD法により、SiH_4-GeH_4-B_2H_6-H_2系によるSi基板上へのBドープSi_1-x>Ge_xのエピタキシャル成長を行った。Si_1-x>Ge_x膜中のB濃度はB_2H_6分圧に比例し、Bのドーピング速度はGeH_4分圧、すなわちGe比率に伴い増加することを見い出した。B濃度は成膜初期でSi_1-x>Ge_x堆積開始前のB_2H_6前処理時間に伴い増加することから、Bのドーピングは成膜初期でB水素化物の吸着速度により律速されるものと考えられる。また、ホール測定より、キャリア濃度は、3x10^17>から2x10^20>cm^-3>の間で、B濃度とほぼ一到すること、またホール移動度はGe比率0.25で最小値になり、膜厚には依存しないことを見い出した。また、逆方向電流密度が10^-10>A, cm^2オーダの自己整合型極浅接合の形成を、低温Si_1-x>選択CVDにより熱処理なしで実現した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-10-22