45nm Cu/Low-k配線対応Ultra Low-k膜UVキュア技術の検討(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)

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概要

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• Cu/Low-k配線の信頼性向上に向けてLow-k膜のUVキュアによる膜質改善が期待されている。今回、我々はUVキュアしたULK膜の膜中結合状態に注目してキュアのメカニズムを探った。その中で、波長域の異なる2種類のUVランプを比較することにより最適なランプ種についても検討をおこなった。最適化したUVキュア条件によりULK膜の機械強度は大きく改善され、また、隣接する他の膜に対する密着性改善効果も確認された。ULK膜へのUVキュアを適用したTEGによる2層配線特性評価の結果、High-kキャップ層のないFull ULK構造にもかかわらず高い信頼性を得ることができた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-01-30

著者

• 大崎 明彦

  株式会社ルネサステクノロジ

• 古澤 健志

  株式会社ルネサステクノロジ

• 後藤 欣哉

  株式会社ルネサステクノロジ

• 三浦 典子

  株式会社ルネサステクノロジ

• 橋井 忍

  株式会社ルネサスセミコンダクタエンジニアリング

• 松本 雅弘

  株式会社ルネサステクノロジ

• 松浦 正純

  株式会社ルネサステクノロジ

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