後藤 欣哉 | 株式会社ルネサステクノロジ
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概要
関連著者
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後藤 欣哉
株式会社ルネサステクノロジ
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室田 淳一
東北大学 電気通信研究所
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澤田 康次
東北大学電気通信研究所
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室田 淳一
東北大学電気通信研究所
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後藤 欣哉
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
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松浦 孝
東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
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興梠 隼人
パナソニック株式会社
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千葉原 宏幸
株式会社ルネサステクノロジ
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鈴木 繁
パナソニック株式会社
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筒江 誠
パナソニック株式会社
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瀬尾 光平
パナソニックセミコンダクターエンジニアリング株式会社
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岡 好浩
株式会社ルネサステクノロジ
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赤澤 守昭
株式会社ルネサステクノロジ
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宮武 浩
株式会社ルネサステクノロジ
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松本 晋
パナソニック株式会社
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上田 哲也
パナソニック株式会社
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室田 淳一
東北大学
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Matsuura T
Hokkaido Univ. Education Hakodate Jpn
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本間 文孝
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
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佐藤 真一
兵庫県立大学大学院工学研究科
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内田 哲也
(株)ルネサステクノロジ
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塩沢 勝臣
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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大崎 明彦
株式会社ルネサステクノロジ
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堀田 勝之
Ulsi技術開発センター
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徳田 安紀
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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黒井 隆
Ulsi技術開発センター
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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犬石 昌秀
株式会社ルネサステクノロジ
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
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塩沢 勝臣
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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伊藤 康悦
ULSI技術開発センター
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梅田 浩司
ULSI技術開発センター
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内田 哲也
ULSI技術開発センター
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後藤 欣哉
ULSI技術開発センター
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井上 靖朗
ULSI技術開発センター
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佐藤 真一
三菱電機(株)先端技術総合研究所
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犬石 昌秀
ULSI技術開発センター
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塩沢 勝臣
三菱電機(株)
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梅田 浩司
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
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古澤 健志
株式会社ルネサステクノロジ
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桜庭 政夫
東北大学 電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設
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後藤 欣哉
東北大学 電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設
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澤田 康次
東北大学 電気通信研究所 超高密度・高速知能システム実験施設
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三浦 典子
株式会社ルネサステクノロジ
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徳田 安紀
三菱電機 先端技術総合研
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橋井 忍
株式会社ルネサスセミコンダクタエンジニアリング
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松本 雅弘
株式会社ルネサステクノロジ
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松浦 正純
株式会社ルネサステクノロジ
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前田 孝浩
東北大通研
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石井 真
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
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藤本 浩章
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
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高澤 裕真
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
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前田 孝浩
東北大学電気通信研究所
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興梠 隼人
パナソニック(株)セミコンダクタ一社
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瀬尾 光平
パナソニックセミコンダクターエンジニアリング(株)
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高澤 裕真
日立国際電気
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松本 晋
パナソニック(株)セミコンダクタ一社
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鈴木 繁
パナソニック(株)セミコンダクタ一社
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上田 哲也
パナソニック(株)セミコンダクタ一社
-
筒江 誠
パナソニック(株)セミコンダクタ一社
-
鈴木 繁
パナソニック(株)セミコンダクター社
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上田 哲也
パナソニック(株)セミコンダクター社
著作論文
- Porous Low-k膜対応Direct-CMPプロセス開発 (シリコン材料・デバイス)
- 内壁酸化およびゲート酸化にランプ酸化法を用いたシャロートレンチ分離による逆ナローチャネル効果の抑制
- Porous Low-k膜対応Direct-CMPプロセス開発(配線・実装技術と関連材料技術)
- Si-Ge系ヘテロエピタキシャル成長とその応用
- 45nm Cu/Low-k配線対応Ultra Low-k膜UVキュア技術の検討(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- LPCVD法によるSi_Ge_xエピタキシャル成長におけるPおよびBドーピング
- 高清浄CVD法によるBドープSi_Ge_x薄膜の形成
- 選択Si_Ge_x CVDによる自己整合極浅接合形成と超微細MOSFETの製作