室田 淳一 | 東北大学
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概要
関連著者
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室田 淳一
東北大学
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室田 淳一
東北大学 電気通信研究所
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室田 淳一
東北大学電気通信研究所
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松浦 孝
東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
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Matsuura T
Hokkaido Univ. Education Hakodate Jpn
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櫻庭 政夫
東北大学
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櫻庭 政夫
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
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土屋 敏章
島根大学 総合理工学部
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Tsuchiya T
National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Ibaraki Jpn
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Tsuchiya T
Department Of Electronics Doshisha University
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Tsuchiya Toshiharu
Faculty Of Engineering Shizuoka University
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Tsuchiya Takenobu
Department Of Electrical Electronics And Information Engineering Kanagawa University
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土屋 敏章
島根大学総合理工学部
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山本 裕司
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
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MUROTA Junichi
Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
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石田 彰一
森田化学工業株式会社
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宮本 光雄
森田化学工業株式会社
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橋場 祥晶
東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
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Matsuura Takashi
Laboratory For Electronic Intelligent Systems Research Institute Of Electrical Communication Tohoku
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Sakuraba Masao
Laboratory For Electronic Intelligent Systems Research Institute Of Electrical Communication Tohoku
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Murota Junichi
Laboratory For Microelectronics Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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Murota Junichi
Laboratory For Electronic Intelligent Systems Research Institute Of Electrical Communication Tohoku
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Murota Junichi
Research Institute For Electrical Communications Tohoku University
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石田 彰一
森田化学工業株式会社:東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
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橋場 祥晶
東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設:日立国際電気
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大見 俊一郎
東京工業大学
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渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
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Watanabe Takeshi
Laboratory Of Fish Nutrition Department Of Marine Biosciences Tokyo University Of Marine Sciences An
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和田 健司
大阪府立大学工学研究科
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Matsumoto Satoru
Department of Cardiology, Toyonaka Municipal Hospital
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澤田 康次
東北大学電気通信研究所
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山崎 崇
ソニー株式会社
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渡辺 健
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
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盛田 伸也
東京工業大学総合理工学研究科
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Abe Takumi
Department Of Advanced Materials Science Graduate School Of Frontier Sciences University Of Tokyo
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後藤 欣哉
株式会社ルネサステクノロジ
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AKAI Tomonori
Department of Advanced Materials Science, Graduate School of Frontier Sciences, University of Tokyo
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山崎 崇
東京工業大学総合理工学研究科
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大理 洋征龍
東京工業大学総合理工学研究科
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尾身 博雄
日本電信電話株式会社物性科学基礎研究所
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酒井 徹志
東京工業大学総合理工学研究科
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Saito Keisuke
Application Laboratory Analytical Division Philips Japan Ltd.
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Saito K
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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清野 拓哉
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
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WADA Kazumi
Department of Materials Engineering, Graduate School of Engineering The University of Tokyo
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Matsumoto S
Faculty Of Science And Technology Keio University
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Matsumoto Satoru
Department Of Electronics And Electrical Engineering Keio University
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Abe Takao
Isobe R&d Center Shin-etsu Handotai
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Wada K
Osaka Prefecture University
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Wada K
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
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NAKABAYASHI Yukio
Department of Electronics and Electrical Engineering, Keio University
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SEGAWA Toru
Department of Electronics and Electrical Engineering, Keio University
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SAITO Kazumasa
Department of Electronics and Electrical Engineering, Keio University
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OSAMAN Hirman
Department of Electronics and Electrical Engineering, Keio University
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Watanabe Toshihide
Atr Adaptive Communications Research Laboratories:(present Address)nhk Science And Technical Researc
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Watanabe T
Department Of Innovative And Engineered Materials Interdisciplinary Graduate School Of Science And E
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酒井 徹志
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻
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大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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Saito Kenichi
Institute Of Industrial Science University Of Tokyo
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Osaman Hirman
Department Of Electronics And Electrical Engineering Keio University
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Watanabe T
Laboratory Of Advanced Science And Technology For Industry University Of Hyogo
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Wada Kazuhiro
Department Of Nuclear Engineering Faculty Of Engineering Kyoto University
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Saito Kunio
Ntt Microsystem Integration Laboratories
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Wada Kazumi
Department Of Materials Engineering Graduate School Of Engineering The University Of Tokyo
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Segawa Toru
Department Of Electronics And Electrical Engineering Keio University
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Matsumoto S
Ntt Telecommunications Energy Laboratories
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Matsumoto S
Department Of Electronics And Electrical Engineering Keio University
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Saito Kazumasa
Department Of Electrical Engineering Keio University
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Watanabe Takeo
Univ. Hyogo Hyogo Jpn
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後藤 欣哉
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
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Saito K
Akita Univ. Akita Jpn
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Wada Kazumi
Atsugi Electrical Communication Laboratory Nippon Telegraph And Telephone Public Corporation
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Saito Keisuke
Application Laboratory Bruker Axs
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Nakabayashi Y
Department Of Electronics And Electrical Engineering Keio University
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Watanabe Takeshi
Laboratory Of Fish Nutrition Department Of Aquatic Biosciences Tokyo University Of Fisheries
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Saito Kaichi
Kanagawa Industrial Technology Center
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Watanabe Takayuki
Department of Innovative and Engineered Materials, Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology
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財満 鎭明
名古屋大学大学院工学研究科
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櫻庭 政夫
東北大通研
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川上 彰二郎
東北大学電気通信研究所
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吉田 浩章
東北大学電気通信研究所
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花泉 修
東北大学電気通信研究所
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川嶋 貴之
東北大学電気通信研究所
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花泉 修
群馬大学大学院工学研究科
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SAITO Keisuke
Application Laboratory
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伊東 良太
東北大学
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瀬尾 高広
東北大学
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武藤 大祐
東北大学
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森 聖樹
東北大学
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菅原 勝俊
東北大学
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竹廣 忍
東北大学電気通信研究所
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島宗 洋介
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
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伊是名 篤志
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
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小林 信一
東京工芸大学工学部電子工学科
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御子柴 宣夫
東京工芸大学工学部
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Takata M
Nagaoka Univ. Technology Niigata
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TSUCHIYA Toshiaki
Interdisciplinary Faculty of Science and Engineering, Shimane University
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MATSUURA Takashi
Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
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杉山 剛之
東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
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Mizutani Goro
School of Materials Science, Japan Advanced Institute of Science and Technology
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Maeda T
Semiconductor Leading Edge Technol. Inc. Ibaraki Jpn
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Maeda T
Electrotechnical Lab. Tskuba Jpn
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Maeda Toru
Department Of Material Science Graduate School Of Engineering Tohoku Uniiversity
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Maeda T
Storage Technology Research Center Research & Development Group Hitachi Ltd.
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OSMAN Hirman
Department of Electronics and Electrical Engineering, Keio University
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MUROTA1 Junichi
Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
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ABE Takao
lsobe R&D Center Sin-Etsu Handotai
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Maeda T
Electrotechnical Lab. Ibaraki Jpn
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Maeda Tatsuro
Electrotechnical Laboratory
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Ushioda Sukekatsu
School Of Materials Science Japan Advanced Institute Of Science And Technology
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石井 真
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
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本間 文孝
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
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Lee Doohwan
Laboratory For Electronic Intelligent Systems Research Institute Of Electrical Communication Tohoku
-
藤本 浩章
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
-
松補 孝
東北大学電気通信研究所超高密度・高速知能システム実験施設
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Mizutani Goro
School Of Materials Science Jaist
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高澤 裕真
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
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SONODA Yasuyuki
Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
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MAEDA Takahiro
Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
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Sonoda Y
School Of Materials Science Japan Advanced Institute Of Science And Technology
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Noda Takaaki
Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohok
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Shim Hyunyoung
Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohok
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Noda Takaaki
Laboratory For Electronic Intelligent Systems Research Institute Of Electrical Communication Tohoku
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Shim Hyunyoung
Laboratory For Electronic Intelligent Systems Research Institute Of Electrical Communication Tohoku
-
Abe Takao
Lsobe R&d Center Sin-etsu Handotai
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高澤 裕真
日立国際電気
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Matsuura Takashi
Research Institute Of Electrical Communication Tohoku University
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財満 鎭明
名古屋大学
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Tsuchiya Toshiaki
Interdisciplinary Faculty Of Science And Engineering Shimane University
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小林 信一
東京工芸大学工学部
著作論文
- プラズマCVD法によるa-SiC:H/SiO_2積層形偏光分離素子の高性能化の検討
- NH_3におよるSi(100)の原子層熱窒化過程
- NH_3によるSi表面の低温熱窒化
- 特別記事 SiGe技術の最新研究動向
- 極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術 : SBSI : SiGe選択エッチング特性の硝酸濃度依存性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術 : SBSI : SiGe選択エッチング特性の硝酸濃度依存性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ナノメートルオーダ歪SiGe/Si(100)ヘテロ構造によるホール共鳴トンネルダイオードの製作と高性能化
- SiGe/SiヘテロチャネルMOSFETにおける過渡チャージポンピング特性
- ECRプラズマCVDによるIV族半導体エピタキシャル成長
- SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるヘテロ界面のホットキャリア局所劣化
- SiGe/SiヘテロMOSFETにおけるホットキャリアによるヘテロ界面準位の発生
- BドープSiGe選択CVD成長により形成された極浅ソース・ドレインと高Ge比率歪SiGeヘテロチャネルを有する高性能pMOSFET
- SiGe系エピタキシャル成長とその原子層制御
- CVD Si1-x-yGexCyエピタキシャル成長とドーピング制御
- 研究紹介 CVD法によるSi1-x-yGexCyエピタキシャル成長とドーピング制御
- CVD Si_Ge_xエピタキシャル成長とドーピング制御 : Si半導体結晶(21世紀を拓く薄膜結晶成長)
- 高清浄減圧CVD法を用いたPH_3によるSi(100)およびGe(100)表面でのPの原子層吸着
- Si(100)表面でのCH_4の低温反応
- 高清浄雰囲気下での熱CVD法によるSi上のGe成長初期過程
- Low-Frequency Noise in Si_Ge_x p-Channel Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors : Semiconductors
- Si_Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_Ge_x/Siヘテロ構造品質との対応
- Si_Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_Ge_x/ヘテロ構造品質との対応
- バッファードフッ酸によるエピタキシャルSi_Ge_xC_y膜のエッチング特性
- Si_Ge_xチャネルpMOSFETにおける低周波雑音とSi_Ge_x/ヘテロ構造品質との対応
- バッファードフッ酸によるエピタキシャルSi_Ge_XC_y膜のエッチング特性
- Siの原子層プラズマ窒化におけるラジカルとイオンの寄与
- WF_6-SiH_4系によるSi表面でのW低温選択成長の初期過程
- Siの原子層プラズマ窒化におけるラジカルとイオンの寄与
- WF_6-SiH_4系によるWの低温選択成長初期過程
- ECRプラズマによるSi-Ge系の原子層エッチング
- Wの低温選択成長とその初期過程
- Si-Ge系ヘテロデバイスの開発動向 (特集 21世紀を迎えたエレクトロニクスの技術展望)
- Self-Diffusion in Extrinsic Silicon Using Isotopically Enriched ^Si Layer : Semiconductors
- Epitaxial Growth of Pure ^Si Layers on a Natural Si(100) Substrate Using Enriched ^SiH_4
- IV族系ヘテロ超微細デバイス材料技術調査専門委員会
- LPCVD法によるSi_Ge_xエピタキシャル成長におけるPおよびBドーピング
- バッファードフッ酸によるエピタキシャルSi_Ge_xC_y膜のエッチング特性
- Second Harmonic Generation from Si_Ge_x Epitaxial Films with a Vicinal Face:Film Thickness Dependence
- Phosphorus Doping in Si1-x-yGexCy Epitaxial Growth by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition Using a SiH4–GeH4–CH3SiH3–PH3–H2 Gas System
- Separation between Surface Adsorption and Reaction of NH_3 on Si (100) by Flash Heating
- Atomic-Layer Surface Reaction of SiH_4 on Ge(100) ( Quantum Dot Structures)
- 選択Si_Ge_x CVDによる自己整合極浅接合形成と超微細MOSFETの製作