酒井 徹志 | 東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻
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概要
関連著者
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大見 俊一郎
東京工業大学
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大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
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酒井 徹志
東京工業大学総合理工学研究科
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酒井 徹志
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻
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大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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大見 俊一郎
東京工業大学総合理工学研究科
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山崎 崇
ソニー株式会社
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室田 淳一
東北大学電気通信研究所
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櫻庭 政夫
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
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盛田 伸也
東京工業大学総合理工学研究科
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室田 淳一
東北大学
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室田 淳一
東北大学 電気通信研究所
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櫻庭 政夫
東北大学
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山崎 崇
東京工業大学総合理工学研究科
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大理 洋征龍
東京工業大学総合理工学研究科
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尾身 博雄
日本電信電話株式会社物性科学基礎研究所
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仲西 知之
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
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高橋 博
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
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矢橋 健一
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
著作論文
- 極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術 : SBSI : SiGe選択エッチング特性の硝酸濃度依存性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術 : SBSI : SiGe選択エッチング特性の硝酸濃度依存性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- Twin-Channel (TC)-MOSFETの提案とデバイスプロセスの検討,AWAD2006)
- Twin-Channel (TC)-MOSFETの提案とデバイスプロセスの検討
- Twin-Channel (TC)-MOSFET の提案とデバイスプロセスの検討
- 多層Si/SiGe構造におけるSiGe層横方向選択エッチングと多層SOI構造の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)