極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術 : SBSI : SiGe選択エッチング特性の硝酸濃度依存性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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概要
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極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術として開発を進めているSBSI (Separation by Bonding Si Islands)プロセスで形成されるSOI層について、その層厚の均一性向上を検討した。主要プロセスであるSiGe層の選択エッチング技術に関して、CVD法で形成したSiGe/i-Si(non-doped-Si)積層試料を用い、SiGeとSiのエッチング選択比およびエッチング後の表面ラフネスを調べた結果、エッチングに使用する弗酸と硝酸の混合液における硝酸比を低下することでエッチングの選択比、表面ラフネスを共に向上できることが分かった。更に、改良された混合比のエッチング条件でSBSIプロセスを検証し、形成されるSOI層の層厚均一性が向上することを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-23
著者
-
大見 俊一郎
東京工業大学
-
大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
-
山崎 崇
ソニー株式会社
-
室田 淳一
東北大学電気通信研究所
-
櫻庭 政夫
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
-
盛田 伸也
東京工業大学総合理工学研究科
-
室田 淳一
東北大学
-
室田 淳一
東北大学 電気通信研究所
-
櫻庭 政夫
東北大学
-
山崎 崇
東京工業大学総合理工学研究科
-
大理 洋征龍
東京工業大学総合理工学研究科
-
尾身 博雄
日本電信電話株式会社物性科学基礎研究所
-
酒井 徹志
東京工業大学総合理工学研究科
-
酒井 徹志
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻
-
大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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