PtSiを用いたせり上げサリサイドの選択エッチングプロセスとHf混晶化による仕事関数変調
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概要
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The selective etching process for elevated self-aligned silicide (salicide) utilizing PtSi has been investigated. We have developed novel selective etching process utilizing a diluted aqua regia followed by a diluted HF light etching. It was found that the residual Pt-rich silicide layers on the sidewall have been successfully removed. We have also investigated a work function modulation of PtSi alloying with Hf. The barrier height for electron of PtSi has been reduced approximately 0.1 eV for PtxHf1-xSi formed by the silicidation of Pt(17 nm)/Hf(4 nm)/Si(100) stacked layer structures.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2008-06-01
著者
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大見 俊一郎
東京工業大学
-
大見 俊一郎
東京工業大学総合理工学研究科
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大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
-
高 峻
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
高 峻
東京工業大学 大学院総合理工学研究科
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