Hf混晶化によるPtSiの高精度仕事関数制御に関する検討(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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極微細CMOSの拡散層における超低コンタクト抵抗の実現を目的として、本研究では、Hf混晶化によるPtSiの高精度仕事関数制御に関する検討を行った。Pt(10-20nm)/Hf(0-10nm)/n-Si(100)積層構造を形成後、窒素雰囲気で400℃/60minのシリサイド化によりPt_xHf_ySiを形成した。2-6nmのHfを導入した場合、n-Siに対する障壁高さを0.84eVから0.54eVまでHfの堆積膜厚により線形的に低減でき、80-100meV/nmの高精度な制御を実現した。さらに、シート抵抗も20Ω/sq程度に維持できることを明らかにした。また、PtSiの表面ラフネス(RMS:9.6nm)に対して、Hfを1nm導入することにより、表面ラフネスをRMS:1.2nmに低減できることが分かった。
- 2010-10-14
著者
-
大見 俊一郎
東京工業大学
-
大見 俊一郎
東京工業大学総合理工学研究科
-
大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
-
高 峻
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
石川 純平
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
石川 純平
東工大
-
大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
高 峻
東京工業大学 大学院総合理工学研究科
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