2段階シリサイド化によるHf混晶化PtSiの耐熱性向上に関する検討(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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400℃/60minで形成したPt_xHf_ySiの耐熱性を改善するため、2段階シリサイド化プロセスに関する検討を行った。Pt/Hf/n-Si(100)積層構造を形成後に、窒素中で400℃/60minのシリサイド化を行った後、600℃/1minの2段階シリサイド化を行い、Pt_xHf_ySiの混晶化シリサイドを形成した。従来の400℃/60minで形成したシリサイドの場合、550℃以上の再アニールにより、n-Siに対する障壁高さ0.75eV、シート抵抗40Ω/sqに劣化するのに対して、2段階シリサイド化で形成したPt_xHf_ySiは700℃までの再アニールを行った場合でも、n-Siに対する障壁高さ0.65eVが維持され、30Ω/sqの低いシート抵抗が得られることが分かった。
- 2009-10-22
著者
-
大見 俊一郎
東京工業大学
-
高 峻
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
石川 純平
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
高 峻
東京工業大学 大学院総合理工学研究科
-
石川 純平
東京工業大学大学院総合理工研究科物理電子システム創造専攻
-
大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工研究科物理電子システム創造専攻
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