HfNのECRプラズマ酸化によるHfON薄膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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HfN薄膜1nm堆積後に、in-situ Electron Cyclotron Resonance(ECR)Ar/O_2プラズマ照射を60s行い、さらにHigh Vacuum Annealing(HVA)及びPost Deposition Annealing(PDA)を行うことにより形成した、EOT(Equivalent Oxide Thickness) 1.41nmのHfO_xN_y薄膜をゲート絶縁膜に用いたMISFETのデバイス特性を評価した。デバイス作製後に400℃/1minのフォーミングガスアニールを行うことにより、移動度203cm^2/Vsが得られることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-14
著者
-
大見 俊一郎
東京工業大学
-
黒瀬 朋紀
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
佐藤 雅樹
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
大見 俊一郎
東京工業大学総合理工学研究科
-
大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
-
佐藤 雅樹
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
-
大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
黒瀬 朋紀
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻
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