極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)

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概要

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• Si(100)基板上に形成した希土類酸化物中の元素の深さ方向変化を高分解能ラザフォード後方散乱法により決定し、その結果に基づいて角度分解X線光電子スペクトルを解析した結果、希土類酸化膜とSi基板との間に形成される組成遷移層中にシリケート層が存在することを見出した。また、希土類酸化物のO1s光電子のエネルギー損失スペクトルに加えて希土類酸化物およびSi(100)基板の価電子帯スペクトルを測定し、両者の解析より希土類酸化膜/Si(100)界面における伝導帯下端および価電子帯上端の不連続量を明らかにした。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-06-20

著者

• 鈴木 基史

  京大院工

• 鈴木 基史

  京大

• 大見 俊一郎

  東京工業大学

• 野平 博司

  Musashi Institute Of Technology

• 大見 俊一郎

  東京工業大学総合理工学研究科

• 大見 俊一郎

  東京工業大学・総合理工学研究科

• 岩井 洋

  東工大フロンティア研

• 中嶋 薫

  京都大学大学院工

• 鈴木 基史

  京都大学大学院工

• 木村 健二

  京都大学大学院工

• 高橋 健介

  武蔵工大工

• 高橋 健介

  武蔵工業大学工学部

• 服部 健雄

  武蔵工業大学工学部

• 野平 博司

  武蔵工業大学工学部

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 服部 健雄

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 服部 健雄

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 服部 健雄

  武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター

• 白石 貴義

  武蔵工業大学工学部

• 岩井 洋

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 柏木 郁未

  東京工業大学総合理工学研究科

• 大島 千鶴

  東京工業大学フロンティア研究所

• 城森 慎司

  京都大学大学院工学研究科

• 大見 俊一郎

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• Nohira Hiroshi

  Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology

• 岩井 洋

  (株)東芝研究開発センターulsi研究所

• 岩井 洋

  東京工業大学

• 服部 健雄

  東京工大 フロンティア研究機構

• 服部 健雄

  武蔵工業大学

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