多層Si/SiGe構造におけるSiGe層横方向選択エッチングと多層SOI構造の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)

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概要

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本研究では、多層SOI基板の作製を目的として、Si/Si_<0.7>Ge_<0.3>/Si/Si_<0.7>Ge_<0.3>/Si(100)多層構造において、フッ硝酸によるSiGe層の横方向選択エッチングに関する検討を行った。p型Si(100)基板上にSi(70nm)/Si_<0.7>Ge_<0.3>(15nm)/Si(70nm)/Si_<0.7>Ge_<0.3>(15nm)/Si(150nm)多層構造をCVD法によりエピタキシャル成長した後、ステッパによるパターニング及びドライエッチングによるトレンチ形成を行った。その後、フッ硝酸によりSiGe層の選択エッチングを行った結果、下層のSiGe層に対して上層のSiGe層のエッチングレートが遅いことが分かった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2005-09-29

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