Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数制御(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数制御に関する検討を行った。Pt/Hf/n-Si(100)積層構造を形成後に、窒素中700℃のアニールを行い、Hf混晶化PtSiを形成した場合、n-Siに対して、障壁高さを0.1eV低減可能であることが分かった。さらに、シリサイドゲートへの応用を目的として、SiO_2上にHf混晶化PtSiを形成し、MOSダイオードのC-V特性を評価することにより仕事関数制御に関する検討を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-09-27
著者
-
大見 俊一郎
東京工業大学
-
大見 俊一郎
東京工業大学総合理工学研究科
-
大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
-
高 峻
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
仲野 雄介
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
-
大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
高 峻
東京工業大学 大学院総合理工学研究科
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