Yb混晶化PtSiの仕事関数変調機構(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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極微細CMOSの拡散層における超低コンタクト抵抗の実現を目的として、Yb混晶化によるPtSiの仕事関数変調に関する検討を行った。Pt(6-10nm)/Yb(10-14nm)/n-Si(100)積層構造を形成後、窒素雰囲気で500-800℃/1-60minのシリサイド化により、Pt_xYb_<1-x>Siの混晶化シリサイドを形成した。全ての膜厚比においてシリサイド化時間の増大に伴いn-Siに対する障壁高さが低減されることが分かった。Pt(6nm)/Yb(14nm)/n-Si(100)構造形成後、800℃/30minのシリサイド化によりn-Siに対する障壁高さを0.52eVまで低減することに成功した。XPSによる深さ方向分布解析より、500-600℃のシリサイド化の場合に比べ、800℃/1-30minのシリサイド化により、表面に偏析したYbが界面方向へ再拡散することにより、障壁高さが低減することを明らかにした。
- 2010-10-14
著者
-
大見 俊一郎
東京工業大学
-
大見 俊一郎
東京工業大学総合理工学研究科
-
大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
-
高 峻
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
石川 純平
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
石川 純平
東工大
-
大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
高 峻
東京工業大学 大学院総合理工学研究科
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