ECRスパッタ法によるHfN/HfSiON積層構造のin-situ形成(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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ECRスパッタ法によるHfN/HfSiON積層構造のin-situ形成を目的として、まず積層構造形成後のHfNの選択エッチングに関する検討を行った。DHF(1%)とHF:H_2O_2:H_2O=1:2:40の混合溶液でHfSiONに対するHfNエッチングレートの比を比較したところ、混合溶液でDHFの3倍程度となる65倍の選択比が得られた。また、in-situ形成したHfN/HfSiON積層構造の電気的特性を改善するために、HfN/HfSiON積層構造の形成条件、特にPDA条件について検討を行った。作製したHfN/HfSiON/p-Si(100)構造のC-V、J-V特性および、HfNの選択エッチング後のHfSiON表面のAFM像を評価した結果、アニール時間を従来の800℃/60sから800℃/15sに短縮することで界面での反応を抑制し、SiO_2換算膜厚(EOT)を0.6nmから0.56nmに薄膜化し、V_<FB>-1Vでのリーク電流を1桁程度低減できることが分かった。
- 2010-10-14
著者
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大見 俊一郎
東京工業大学
-
大見 俊一郎
東京工業大学総合理工学研究科
-
大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
-
佐野 貴洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
-
大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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