SBSIプロセスによるSOI/BOX層の均一形成に関する検討(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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本研究では、SBSIプロセスによる均一なSOI/BOX層の作製を目的として、SiGe選択エッチング時におけるSi層へのダメージを低減するために、フッ硝酸によるSiGe層の横方向選択エッチングプロセスを検討した。70〜120sのエッチングを3分割することによりSi層へのダメージを低減できることが分かった。さらに選択エッチング後のSi表面の熱酸化によるBOX層の形成に関する検討を行い、BOX層膜厚のばらつきを15%程度に改善出来ることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-09-27
著者
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大見 俊一郎
東京工業大学
-
大見 俊一郎
東京工業大学総合理工学研究科
-
大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
-
大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
野武 幸輝
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
-
須田 雄一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
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