ECRプラズマプロセスによるHfO_2系絶縁膜の極薄膜化の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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HfN膜のECR-Ar/O_2プラズマ酸化により形成したHfO_xN_y薄膜の極薄膜化に関する検討を行った。膜厚1nmのHfN膜に対して700℃/5 minの真空アニール後、さらに900℃/1 minのrapid thermal annealing(RTA)を行いHfON薄膜を形成した。RTAによるアニール後、冷却窒素ガス流量を従来の0.81/minから100l/minに増大させることで降温時間の短縮を行った。作製したAl/HfO_xN_y/p-Si(100)ダイオードのC-V特性を評価した結果、冷却窒素ガス流量を増加することによりヒステリシスが改善され、さらに、equivalent oxide thickness(EOT)を1.26nm(N_2 flow rate:0.8l/min)から0.96nm(N_2 flow rate:100l/min)に薄膜化できることが分かった。
- 2007-09-27
著者
-
大見 俊一郎
東京工業大学
-
佐藤 雅樹
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
大見 俊一郎
東京工業大学総合理工学研究科
-
大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
-
佐藤 雅樹
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
-
仲野 雄介
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
-
大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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