マイクロ波Si系半導体素子・回路の技術動向及び今後の展望について
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
最近の情報通信技術の発展が目覚しいが, この基盤となっているのがマイクロ波集積回路技術の発展である.マイクロ波集積回路技術というと一昔前までは化合物半導体が主流であったが, 最近ではSi-BiCMOSやSi-Power MOSが用いられるようになり, 更にはCMOS, SiGe-BiCMOSなどが導入されようとしている.本論文ではシリコン系マイクロ波集積回路の現状と今後の動向に関して説明を行う.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-25
著者
-
大見 俊一郎
東京工業大学
-
勝又 康弘
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
大見 俊一郎
東京工業大学総合理工学研究科
-
大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
-
岩井 洋
東工大フロンティア研
-
岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
勝又 康弘
(株)東芝セミコンダクタ社
-
大黒 達也
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
-
百瀬 寿代
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
-
岩井 洋
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社:広島大学
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社
-
大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
-
岩井 洋
東京工業大学
-
百瀬 寿代
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
-
大黒 達也
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
-
百瀬 寿代
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
関連論文
- キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析 (シリコン材料・デバイス)
- Characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structures based on poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) (シリコン材料・デバイス)
- ECRスパッタ法によるHfN/HfON積層構造の形成(プロセス科学と新プロセス技術)
- 極薄膜NO Oxynitrideゲート絶縁膜とNi SALICIDEプロセスを用いた高性能35nmゲート長CMOS
- HfNのECR Ar/O_2プラズマ酸化プロセスによる極薄HfSiONの形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ECR-Ar/N_2プラズマにより形成したHfON膜の極薄膜化に関する検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ECR Ar/N_2プラズマ窒化による高誘電率HfO_xN_y薄膜の形成(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 2段階シリサイド化によるHf混晶化PtSiの耐熱性向上に関する検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- 2段階シリサイド化によるHf混晶化極薄PtSiの耐熱性向上に関する検討(半導体材料・デバイス)
- 27pRE-9 収差補正TEM/STEMを用いたLa_2O_3/Si界面ラフネスの精密解析(27pRE X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- SON-MOSFETの作製とULSIへの応用
- ESS技術を用いたSON-MOSFETの作成
- ベース抵抗を低減したSOIラテラルBJT
- 自己整合外部ベース形成技術を用いた横型SOIバイポーラ素子
- SON-MOSFETの作製とULSIへの応用
- SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- Mixed Signal CMOS用HfSiONゲート絶縁膜の最適化(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- Mixed Signal CMOS用HfSiONゲート絶縁膜の最適化(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 13a-Y-10 X線CTR散乱によるCaF_2/Si(111)界面構造と育成条件の研究
- (110)シリコン基板上に形成した極薄酸化膜CMOSの電気的特性
- 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
- 1.5nm酸化膜MOSFET
- 1.5nm酸化膜 MOSFET
- 0.1μm以下MOSFETの高性能化検討(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
- 極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術 : SBSI : SiGe選択エッチング特性の硝酸濃度依存性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術 : SBSI : SiGe選択エッチング特性の硝酸濃度依存性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- Hf混晶化によるPtSiの高精度仕事関数制御に関する検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- Yb混晶化PtSiの仕事関数変調機構(プロセス科学と新プロセス技術)
- ECRスパッタ法によるHfN/HfSiON積層構造のin-situ形成(プロセス科学と新プロセス技術)
- ECRプラズマプロセスによるHfO_2系絶縁膜の極薄膜化の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- 微細化の末法時代とは : シリコンデバイスの重要性とその行方
- 低消費電力化技術とゲート絶縁膜の薄膜化
- 低消費電力化技術とゲート絶縁膜の薄膜化
- マイクロ波Si系半導体素子・回路の技術動向及び今後の展望について
- CMOSにおけるプロセスダメージとアナログ特性の関係
- CMOSにおけるプロセスダメージとアナログ特性の関係
- CMOSにおけるプロセスダメージとアナログ特性の関係
- 24pXJ-10 シリコン表面極浅ドープボロン原子の内殻発光分光による電子状態観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- ラジカル窒化によるLa_2O_3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 技術トレンド アメリカを中心とするゲート絶縁膜用High-k材料の最新技術動向
- 21世紀の半導体デバイスとリソグラフィ技術
- 微細シリコンデバイスに要求される各種高性能薄膜
- シリコンLSIの発展を支える超微細トランジスタプロセス技術 : 0.1およびSub-0.1μmMOSFETの高性能化のためのプロセス技術
- シリコンデバイスの微細化と性能限界
- 0.1μm領域CMOSFETに於ける素子の電気的特性の基板不純物濃度依存性
- アルゴンイオン注入のSOI-NMOSFET特性に対する影響
- 通信用LSIへのSOI技術の応用 : fmax 67GHz SOI 横型バイポーラトランジスタ技術
- 1/f noiseのプロセス依存性 : 高性能アナログ回路の実現に向けて(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 1/f noiseのプロセス依存性 : 高性能アナログ回路の実現に向けて(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- エピタキシャルチャネルMOSFETによるアナログ特性の改善
- Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数制御(プロセス科学と新プロセス技術)
- HfNのECRプラズマ酸化によるHfON薄膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ECR Ar/N_2プラズマ窒化による高誘電率HfO_xN_y薄膜の形成(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- Hf混晶化PtSiの仕事関数変調機構の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- MOSFETのスケーリングとアナログ/RF特性 : 微細MOSはアナログ/RFにとって味方なのか(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- MOSFETのスケーリングとアナログ/RF特性 : 微細MOSはアナログ/RFにとって味方なのか(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- コンパクトモデルの進化 : 表面ポテンシャルを用いたHiSIMモデルの特徴(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- コンパクトモデルの進化 : 表面ポテンシャルを用いたHiSIMモデルの特徴(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- Twin-Channel (TC)-MOSFETの提案とデバイスプロセスの検討,AWAD2006)
- Twin-Channel (TC)-MOSFETの提案とデバイスプロセスの検討
- Twin-Channel (TC)-MOSFET の提案とデバイスプロセスの検討
- 多層Si/SiGe構造におけるSiGe層横方向選択エッチングと多層SOI構造の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 希土類酸化物La_2O_3膜を用いたGe MOSデバイスの特性改善のための極薄界面層の検討
- 高抵抗基板上に形成された高性能アナログ、デジタル混載デバイス
- PtSiを用いたせり上げサリサイドの選択エッチングプロセスとHf混晶化による仕事関数変調
- SBSIプロセスによるSOI/BOX層の均一形成に関する検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- 電子情報通信学会(編), 角南英夫(著), "電子情報通信レクチャーシリーズ D-27 VLSI工学-製造プロセス編-", コロナ社(2006-08), B5判, 定価(本体3,300円+税)
- PtSiの混晶化による仕事関数変調
- International Symposium on Semiconductor manufacturing 2005(ISSM2005, 半導体生産技術国際シンポジウム2005)
- ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- CMOS技術の限界と課題(CMOS技術の限界,課題,新しい展開)
- 直径10nmナノワイヤCMOSにおけるキャリア輸送に関する研究(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 25pHD-9 低温におけるSiナノワイヤーの発光特性(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- AR-XPSによる種々の表面処理したIn_Ga_As表面の化学結合状態の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- コンダクタンス法を用いたHfO_2/In_Ga_Asの界面解析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 混晶化によるPtSiのコンタクト抵抗低減に関する検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- 高画質CMOSイメージセンサの実現に有効な3次元デバイスシミュレータ
- 1.シリコンナノワイヤFET技術(ナノデバイス)
- コンダクタンス法を用いたHfO_2/In_Ga_ASの界面解析
- Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面
- デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ゲートスタック技術 (特集 ゲートスタック技術の表面・界面科学)
- シリコンナノワイヤFET技術
- デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解
- 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ゲートスタック技術
- 転送ゲート負バイアス動作における黒沈み不良の解析(イメージセンサ,カメラ信号処理,画像評価関連技術,及び2013IISWとVLSIシンポジウムからの発表報告)
- 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案
- 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価