転送ゲート負バイアス動作における黒沈み不良の解析(イメージセンサ,カメラ信号処理,画像評価関連技術,及び2013IISWとVLSIシンポジウムからの発表報告)
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概要
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本稿では、CMOSイメージセンサにおける転送ゲートの負バイアス動作により発生する黒沈みの解析結果について論じる。解析は並列画素アレイの測定とシミュレーションを用いて行った.それらの結果から、黒沈みは負バイアスの印加によって発生した界面準位にトラップされたHoleと電子の再結合により起きていると考えることができる。
- 2013-09-23
著者
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社:広島大学
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百々 信幸
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
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東 悠介
株式会社東芝
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百々 信幸
株式会社東芝
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山下 浩史
株式会社東芝
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佐々木 広器
株式会社東芝
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吉田 毅
株式会社東芝
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大黒 達也
株式会社東芝
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