百瀬 寿代 | (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部

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• 百瀬 寿代

  (株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター

• 百瀬 寿代

  (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部

• 百瀬 寿代

  (株)東芝研究開発センターulsi研究所

• 大黒 達也

  東芝セミコンダクター社:広島大学

• 大黒 達也

  (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 大黒 達也

  (株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター

• 大黒 達也

  東芝セミコンダクター社

• 岩井 洋

  (株)東芝

• 岩井 洋

  (株)東芝研究開発センターulsi研究所

• 勝又 康弘

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 岩井 洋

  東工大フロンティア研

• 勝又 康弘

  (株)東芝セミコンダクタ社

• 中村 新一

  (株)東芝研究開発センター

• 中村 新一

  (株)東芝

• 吉富 崇

  (株)東芝研究開発センターULSI研究所

• 吉富 崇

  東芝セミコンダクター社

• 小島 健嗣

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 小島 健嗣

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 小島 健嗣

  (株)東芝セミコンダクター社

• 森藤 英治

  (株)東芝

• Kimijima H.

  (株)東芝

• 森本 豊太

  (株)東芝

• 渡辺 健

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 高柳 万里子

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石内 秀美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社

• 石内 秀美

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 石内 秀美

  (株)東芝

• 飯島 良介

  (株)東芝研究開発センター

• 飯島 良介

  東芝

• 松澤 一也

  (株)東芝 ULSI研究所

• 東 悠介

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 百々 信幸

  (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部

• 東 悠介

  (株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 東 悠介

  株式会社東芝

• 大見 俊一郎

  東京工業大学

• 豊島 義明

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 大見 俊一郎

  東京工業大学総合理工学研究科

• 大見 俊一郎

  東京工業大学・総合理工学研究科

• 豊島 義明

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 小野 瑞城

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 斎藤 雅伸

  (株)東芝研究開発センターULSI研究所

• 岩井 洋

  東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター

• 松澤 一也

  東芝LSI基盤技術ラボラトリー

• 大見 俊一郎

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 松澤 一也

  (株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 小野 瑞成

  (株)東芝研究開発センターulsi研究所

• 岩井 洋

  東京工業大学

• 百々 信幸

  (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター高性能CMOSデバイス技術開発部

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著作論文

• Mixed Signal CMOS用HfSiONゲート絶縁膜の最適化(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
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• (110)シリコン基板上に形成した極薄酸化膜CMOSの電気的特性
• 1.5nm酸化膜MOSFET
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• シリコンLSIの発展を支える超微細トランジスタプロセス技術 : 0.1およびSub-0.1μmMOSFETの高性能化のためのプロセス技術
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• デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解

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