百瀬 寿代 | (株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
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概要
関連著者
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百瀬 寿代
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
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百瀬 寿代
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社:広島大学
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大黒 達也
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社
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百瀬 寿代
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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大黒 達也
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
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岩井 洋
(株)東芝
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岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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勝又 康弘
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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岩井 洋
東工大フロンティア研
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勝又 康弘
(株)東芝セミコンダクタ社
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中村 新一
(株)東芝
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小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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吉富 崇
東芝セミコンダクター社
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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中村 新一
(株)東芝研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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百瀬 寿代
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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吉富 崇
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
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小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社
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森藤 英治
(株)東芝
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Kimijima H.
(株)東芝
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森本 豊太
(株)東芝
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松澤 一也
東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社
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藤原 実
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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永野 剛之
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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藤原 実
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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高柳 万里子
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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清水 敬
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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中村 新一
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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清水 敬
プロセス技術推進センター
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清水 敬
東芝セミコンダクター社システムlsi開発センター
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石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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石内 秀美
(株)東芝
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飯島 良介
(株)東芝研究開発センター
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飯島 良介
東芝
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斎藤 雅伸
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
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青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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永野 剛之
東芝セミコンダクター社
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岡山 康則
東芝セミコンダクタ一社
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松永 健
東芝セミコンダクタ一社
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石丸 一成
東芝セミコンダクタ一社
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松澤 一也
(株)東芝 ULSI研究所
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小野 瑞成
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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清水 敬
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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高柳 万里子
東芝セミコンダクター社
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東 悠介
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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百々 信幸
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
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東 悠介
(株)東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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東 悠介
株式会社東芝
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大見 俊一郎
東京工業大学
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豊島 義明
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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大見 俊一郎
東京工業大学総合理工学研究科
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大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
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小野 瑞城
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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岩井 洋
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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小野 瑞成
東芝研究開発センター
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斎藤 雅伸
東芝研究開発センター
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吉富 崇
東芝研究開発センター
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Fiegna Claudio
ボローニャ大学
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大黒 達也
東芝研究開発センター
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百瀬 寿代
東芝研究開発センター
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岩井 洋
東芝研究開発センター
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大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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松澤 一也
(株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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岩井 洋
東京工業大学
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百々 信幸
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター高性能CMOSデバイス技術開発部
著作論文
- 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
- Mixed Signal CMOS用HfSiONゲート絶縁膜の最適化(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- Mixed Signal CMOS用HfSiONゲート絶縁膜の最適化(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- (110)シリコン基板上に形成した極薄酸化膜CMOSの電気的特性
- 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
- 1.5nm酸化膜MOSFET
- 1.5nm酸化膜 MOSFET
- 0.1μm以下MOSFETの高性能化検討(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
- マイクロ波Si系半導体素子・回路の技術動向及び今後の展望について
- CMOSにおけるプロセスダメージとアナログ特性の関係
- CMOSにおけるプロセスダメージとアナログ特性の関係
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- シリコンLSIの発展を支える超微細トランジスタプロセス技術 : 0.1およびSub-0.1μmMOSFETの高性能化のためのプロセス技術
- シリコンデバイスの微細化と性能限界
- 0.1μm領域CMOSFETに於ける素子の電気的特性の基板不純物濃度依存性
- 1/f noiseのプロセス依存性 : 高性能アナログ回路の実現に向けて(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 1/f noiseのプロセス依存性 : 高性能アナログ回路の実現に向けて(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- デバイスシミュレーションによるランダムテレグラフノイズの本質的理解