1/f noiseのプロセス依存性 : 高性能アナログ回路の実現に向けて(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
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概要
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アナログ回路に重要な1/f noiseのゲートオキシナイトライド膜、シンタープロセス及びSTIストレス依存性について議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-08-14
著者
-
石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
青木 伸俊
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
百瀬 寿代
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
大黒 達也
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
-
百瀬 寿代
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
-
青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社:広島大学
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社
-
岡山 康則
東芝セミコンダクタ一社
-
松澤 一也
東芝LSI基盤技術ラボラトリー
-
松永 健
東芝セミコンダクタ一社
-
石丸 一成
東芝セミコンダクタ一社
-
百瀬 寿代
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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