1〜5V動作1Mb Full CMOS SRAMの高速・低スタンバイ電力回路設計
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概要
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1〜5V動作の1Mb full CMOS SRAMの高速・低スタンバイ電力回路設計について述べた。多重Vth CMOSゲート、遅延線切替型パルス発生回路、抵抗挿入型カレントミラーセンスアンプといった回路技術により、Vcc=1Vで200nsのアクセスタイムがシミュレーションで得られ、また、3Vにおけるスタンバイ電流の見積もり値として90nWという値が得られた。この回路設計による1Mb SRAMは、1.5V用途、3V用途の双方に適している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-06-24
著者
-
各務 正一
株式会社東芝セミコンダクタ社
-
石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
吉村 尚郎
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
石丸 一成
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
矢部 友章
東芝
-
佐藤 項一
東芝
-
早川 誠幸
東芝
-
佐藤 勝彦
東芝
-
松井 正貴
東芝
-
青野 明
東芝マイクロエレクトロニクス
-
五條堀 博
東芝
-
森田 茂
東芝
-
海野 ゆかり
東芝マイクロエレクトロニクス
-
各務 正一
東芝
-
落井 清文
東芝
-
松岡 史倫
東芝
-
矢部 友章
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
佐藤 勝彦
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
佐藤 勝彦
(株)東芝
-
海野 ゆかり
東芝マイクロエレクトロニクス(株)
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