完全CMOSプロセスを用いたバイポーラ搭載高速キャッシュSRAM製造プロセスの開発
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概要
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6T CMOS-SRAMの製造プロセスに、一切の工程を付加することなく2層polyの自己整合型バイポーラトランジスタを作り込むことに成功した。コレクタ領域は、高加速イオン注入法を用いてCMOSのnwellと同時に形成した。本プロセスにより作成したバイボーラトランジスタをSRAMのセンスアンプ回路に用いることにより、高速2次キャッシュSRAMを低コストで製造できる見通しを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-19
著者
-
石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
各務 正一
株式会社東芝セミコンダクタ社
-
石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社
-
松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
岡山 康則
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
-
松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
-
海野 ゆかり
東芝マイクロエレクトロニクス
-
松岡 史倫
東芝
-
高橋 稔
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
西郡 正人
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
各務 正ー
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
海野 ゆかり
東芝マイクロエレクトロニクス(株)
-
松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
-
西郡 正人
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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