微細化限界を打破する最先端CMOSデバイス技術 (特集 明日を切り開くシステムLSI)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 東芝技術企画室の論文

著者

• 中山 武雄

  東芝セミコンダクター社システムlsi事業部

• 松岡 史倫

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 宮下 桂

  東芝

• 松岡 史倫

  東芝

関連論文

• 40nm low standby power CMOS技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD-2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
• ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
• 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)
• 高性能45nmノードCMOSFET技術とストレス印加による移動度向上技術のスケーラビリティ(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果
• 微細化限界を打破する最先端CMOSデバイス技術 (特集 明日を切り開くシステムLSI)
• ストレス技術を加えた不純物偏析Schottkyソース/ドレイントランジスタを用いた0.7VにおけるSRAM特性(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• ストレス技術を加えた不純物偏析Schottkyソース/ドレイントランジスタを用いた0.7VにおけるSRAM特性(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• チャネル方向と構造起因歪みの組み合わせを用いた45nm世代のための高移動度CMOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 次世代技術の詳細 45nm世代の論理LSI技術を確立 遅延時間を30%以上短縮 (Cover Story 特集 半導体・新進化論--微細化危機を3次元が救う)
• 吸湿によるヴィア不良のメカニズム及び45nm世代多層配線デザインへの影響(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
• 0.15μm世代以降のサリサイドプロセス
• 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
• 1〜5V動作1Mb Full CMOS SRAMの高速・低スタンバイ電力回路設計
• 最先端リソグラフィー技術と Gate-first MG/HK プロセス技術を用いたコスト競争力のある32nm世代 CMOS Platform Technology
• 65nm世代以降のVdd,Vthのスケーリング指針の新規提案(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 65nm世代以降のVdd,Vthのスケーリング指針の新規提案(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 完全CMOSプロセスを用いたバイポーラ搭載高速キャッシュSRAM製造プロセスの開発
• 埋め込み素子/ウェル分離を用いた微細Full CMOS型SRAMの開発
• TFT SRAMを用いた3D-FPGAの開発(デザインガイア2010 : VLSI設計の新しい大地)
• エピタキシャルチャネルMOSFETによるアナログ特性の改善
• 1V高速動作と低スタンバイ電力を両立させた0.5μm完全CMOS SRAM技術
• High-K/Metal Gate MOSFETsにおける新しいレイアウト依存性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク