宮下 桂 | 東芝
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概要
関連著者
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宮下 桂
東芝
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中山 武雄
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
-
宮下 桂
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所
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松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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松岡 史倫
東芝
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豊島 義明
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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中山 武雄
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所 デバイス技術研究所
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吉村 尚郎
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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藤原 実
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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安達 甘奈
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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吉村 尚郎
(株)東芝 セミコンダクター社システムLSI開発センター
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西村 尚志
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センタープロセス技術推進センター
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藤原 実
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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東 篤志
東芝セミコンダクター社
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小野田 裕之
東芝
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東 篤志
東芝
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山田 誠司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
-
小野田 裕之
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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木下 朋子
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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中村 典生
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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大内 和也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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飯沼 俊彦
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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東 篤志
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
須黒 恭一
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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松永 範昭
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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松永 範昭
東芝
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猪原 正弘
東芝
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濱口 雅史
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムlsi事業部
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宮下 桂
(旧)(株)東芝セミコンダクター社マイクロエレクトロニクス技術研究所デバイス技術研究所(現)(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部システムLSIデバイス技術開発統括部
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吉村 尚郎
(旧)(株)東芝セミコンダクター社マイクロエレクトロニクス技術研究所デバイス技術研究所(現)(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部システムLSIデバイス技術開発統括部
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中山 武雄
(旧)(株)東芝セミコンダクター社マイクロエレクトロニクス技術研究所デバイス技術研究所(現)(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部システムLSIデバイス技術開発統括部
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小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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岩本 敏幸
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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中原 寧
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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北野 友久
Necエレクトロニクス株式会社
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高須 靖夫
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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大内 和也
SoC研究開発センター
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飯沼 俊彦
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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西村 尚志
プロセス技術推進センター
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東 篤志
半導体研究開発センター
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吉村 尚郎
(株)東芝 デバイス技術研究所
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佐々木 俊行
(株)東芝セミコンダクター社
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青田 正司
東芝セミコンダクター社 システムLSI技術開発統括部
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佐々木 俊行
東芝
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犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
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青田 正司
東芝
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岩本 敏幸
NEC シリコンシステム研究所
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中嶋 一明
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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犬宮 誠治
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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須黒 恭一
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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長谷川 英司
Nec Electronics Corporation
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圷 晴子
(株)東芝
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須黒 恭一
(株)東芝
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中嶋 一明
東芝
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中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
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成瀬 宏
東芝株式会社
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長友 浩二
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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長谷川 俊介
東芝
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北村 陽介
東芝
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高畑 和宏
東芝
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岡本 浩樹
東芝
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石田 達也
東芝
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福島 崇
東芝
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原川 秀明
東芝
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石塚 竜嗣
東芝
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小向 敏章
東芝
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長友 浩二
東芝
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三本木 省次
東芝
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中塚 圭祐
東芝
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西郡 正人
東芝
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野町 映子
東芝
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小川 竜二
東芝
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岡本 晋太郎
東芝
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岡野 公俊
東芝
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沖 知普
東芝
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佐竹 正城
東芝
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鈴木 陽子
東芝
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内海 邦明
東芝
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渡部 忠兆
東芝
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吉水 康人
東芝
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平井 友洋
NEC Electronics Corporation
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相澤 宏一
NEC Electronics Corporation
-
岩本 敏幸
NEC Electronics Corporation
-
刈谷 奈由太
NEC Electronics Corporation
-
村松 諭
NEC Electronics Corporation
-
永原 誠司
NEC Electronics Corporation
-
中原 寧
NEC Electronics Corporation
-
岡田 紀雄
NEC Electronics Corporation
-
鈴木 達也
NEC Electronics Corporation
-
田上 政由
NEC Electronics Corporation
-
竹田 和浩
NEC Electronics Corporation
-
田中 聖康
NEC Electronics Corporation
-
谷口 謙介
NEC Electronics Corporation
-
富永 誠
NEC Electronics Corporation
-
筒井 元
NEC Electronics Corporation
-
渡辺 普
NEC Electronics Corporation
-
北野 友久
NEC Electronics Corporation
-
後藤 啓郎
NEC Electronics Corporation
-
中村 典生
NEC Electronics Corporation
-
相澤 宏一
NECエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
-
渡部 忠兆
株式会社東芝半導体研究開発センター
-
犬宮 誠治
東芝
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北野 友久
日本電気(株)
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成瀬 宏
東芝
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田上 政由
Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所
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ARNAUD F.
STMicroelectronics
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岡田 紀雄
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発部
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中山 武雄
東芝
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ELLER M.
Infineon Technologies
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石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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岩本 俊幸
Nec Electronics Corporation
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小島 健嗣
東芝
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三本木 省二
東芝
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岩本 俊幸
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
-
中原 寧
Necエレクトロニクス
-
西郡 正人
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
-
Narayanan V.
Ibm Semiconductor Research & Development Center (srdc) Research Division T. J. Watson Research C
-
Kohler S.
Stmicroelectronics
-
Kaste E.
Ibm
-
Celik M.
Stmicroelectronics
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濱口 雅史
東芝
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Nair D.
IBM
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Jaeger D.
IBM
-
西村 尚志
東芝
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Li W.
IBM
-
Na M-H.
IBM
-
Bernicot C.
STMicroelectronics
-
Liang J.
Infineon Technologies
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Stahrenberg K.
Infineon Technologies
-
Kim K.
Infineon Technologies
-
Lee K-C.
Samsung Electronics
-
Iwamoto T.
Renesas Electronics
-
Teh Y-W.
GLOBALFOUNDRIES Singapore
-
森 貞之
東芝
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高須 靖夫
東芝
-
Park JH
Samsung Electronics
-
Song L.
IBM
-
Kim N-S.
GLOBALFOUNDRIES Singapore
-
Kothari H.
STMicroelectronics
-
Han J-P.
Infineon Technologies
-
Miyake S.
Renesas Electronics
-
Meer H.V.
GLOBALFOUNDRIES
-
Barla K.
STMicroelectronics
-
Sherony M.
IBM
-
Donaton R.
IBM
-
Wachnik R.
IBM
-
Chudzik M.
IBM
-
Sudijono J.
GLOBALFOUNDRIES Singapore
-
Ku J.-H.
Samsung Electronics
-
Kim J.D.
Samsung Electronics
-
Sekine M.
Renesas Electronics
-
Johnson S.
GLOBALFOUNDRIES
-
Neumueller W.
Infineon Technologies
-
Sampson R.
STMicroelectronics
-
Divakaruni R.
IBM
-
Narayanan V.
Ibm
著作論文
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD-2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
- 微細化限界を打破する最先端CMOSデバイス技術 (特集 明日を切り開くシステムLSI)
- ストレス技術を加えた不純物偏析Schottkyソース/ドレイントランジスタを用いた0.7VにおけるSRAM特性(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- ストレス技術を加えた不純物偏析Schottkyソース/ドレイントランジスタを用いた0.7VにおけるSRAM特性(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 0.15μm世代以降のサリサイドプロセス
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
- 最先端リソグラフィー技術と Gate-first MG/HK プロセス技術を用いたコスト競争力のある32nm世代 CMOS Platform Technology
- High-K/Metal Gate MOSFETsにおける新しいレイアウト依存性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))