Kothari H. | STMicroelectronics
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概要
関連著者
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ARNAUD F.
STMicroelectronics
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ELLER M.
Infineon Technologies
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Kohler S.
Stmicroelectronics
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Celik M.
Stmicroelectronics
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Bernicot C.
STMicroelectronics
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Liang J.
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Samsung Electronics
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Samsung Electronics
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Kothari H.
STMicroelectronics
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Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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西村 尚志
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センタープロセス技術推進センター
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濱口 雅史
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムlsi事業部
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松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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高須 靖夫
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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宮下 桂
東芝
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東芝
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Kim J.
Samsung Advanced Institute Of Technology (sait)
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Narayanan V.
Ibm Semiconductor Research & Development Center (srdc) Research Division T. J. Watson Research C
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Kaste E.
Ibm
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IBM
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Jaeger D.
IBM
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Na M-H.
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森 貞之
東芝
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Song L.
IBM
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Sherony M.
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Donaton R.
IBM
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Wachnik R.
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Chudzik M.
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Kim J.D.
Samsung Electronics
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Divakaruni R.
IBM
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Narayanan V.
Ibm
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SHERONY M.
IBM SRDC
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NARAYANAN V.
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森 貞之
Toshiba Corporation.
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濱口 雅史
Toshiba Corporation.
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NAIR D.
IBM SRDC
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JAEGER D.
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西村 尚志
Toshiba Corporation.
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LI W.
IBM SRDC
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NA M-H.
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高須 靖夫
Toshiba Corporation.
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IBM SRDC
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MEER H.
GLOBALFOUNDRIES
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DONATON R.
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宮下 桂
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CHUDZIK M.
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松岡 史倫
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Samsung Electronics
著作論文
- High-K/Metal Gate MOSFETsにおける新しいレイアウト依存性(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- High-K/Metal Gate MOSFETs における新しいレイアウト依存性