High-K/Metal Gate MOSFETs における新しいレイアウト依存性

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概要

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• 2012-01-20

著者

• ARNAUD F.

  STMicroelectronics

• ELLER M.

  Infineon Technologies

• Kim J.

  Samsung Advanced Institute Of Technology (sait)

• Kohler S.

  Stmicroelectronics

• Celik M.

  Stmicroelectronics

• Bernicot C.

  STMicroelectronics

• Liang J.

  Infineon Technologies

• Stahrenberg K.

  Infineon Technologies

• Kim K.

  Infineon Technologies

• Lee K-C.

  Samsung Electronics

• Iwamoto T.

  Renesas Electronics

• Teh Y-W.

  GLOBALFOUNDRIES Singapore

• Park JH

  Samsung Electronics

• Kim N-S.

  GLOBALFOUNDRIES Singapore

• Kothari H.

  STMicroelectronics

• Han J-P.

  Infineon Technologies

• Miyake S.

  Renesas Electronics

• Barla K.

  STMicroelectronics

• Sudijono J.

  GLOBALFOUNDRIES Singapore

• Ku J.-H.

  Samsung Electronics

• Sekine M.

  Renesas Electronics

• Johnson S.

  GLOBALFOUNDRIES

• Neumueller W.

  Infineon Technologies

• Sampson R.

  STMicroelectronics

• SHERONY M.

  IBM SRDC

• NARAYANAN V.

  IBM Research Division

• 森 貞之

  Toshiba Corporation.

• 濱口 雅史

  Toshiba Corporation.

• NAIR D.

  IBM SRDC

• JAEGER D.

  IBM SRDC

• 西村 尚志

  Toshiba Corporation.

• LI W.

  IBM SRDC

• NA M-H.

  IBM SRDC

• 高須 靖夫

  Toshiba Corporation.

• SONG L.

  IBM SRDC

• MEER H.

  GLOBALFOUNDRIES

• DONATON R.

  IBM SRDC

• 宮下 桂

  Toshiba Corporation.

• WACHNIK R.

  IBM SRDC

• CHUDZIK M.

  IBM SRDC

• KASTE E.

  IBM SRDC

• DIVAKARUNI R.

  IBM SRDC

• 松岡 史倫

  Toshiba Corporation.

• KIM J.

  Samsung Electronics

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