超低温ポリSi TFTプロセス(U-LTPS)(半導体Si及び関連材料・評価)
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概要
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次世代のディスプレイの実現のため、プラスチックなどのフレキシブル基板上につくるSi TFTプロセスが求められる。アモルファスSiの成膜および最適結晶化、良質の絶縁膜、さらにソース、ドレインの活性化を従来の400℃よりもさらに室温に近い、200℃以下の低温でTFTの作製を行う必要性が生じてくる。このための、要素技術の研究結果と課題について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-12-14
著者
-
Kim J.
Samsung Elec. Co. Alliances At Ibm Semiconductor Research And Development Center (srdc)
-
野口 隆
琉球大学工学部
-
野口 隆
Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)
-
Kwon J.
Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)
-
Jung J.
Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)
-
Park K.
Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)
-
Lim H.
Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)
-
Cho H.
Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)
-
Zhang X.
Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)
-
Yin H.
Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)
-
Xianyu W.
Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)
-
Kim D.
Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)
-
Kim J.
Samsung Advanced Institute Of Technology (sait)
-
野口 隆
Samsung Advanced Institute Of Technology (sait):sungkyunkwan University (skku)
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