Siマイクロエレクトロニクスのための紫外光レーザーアニールによる浅い接合形成(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Si MOS およびSOIトランジスタ応用に対しての紫外光レーザーアニールによる接合形成技術に関して述べる。 Si LSI 中のサブ0.1μm MOS トランジスタでは、十分なオン電流を確保し短チャネル効果を抑えるために、低抵抗の超浅接合が要求される。Siこ対して高い吸収をもつ均一なビームによるエキシマレーザーアニールは、TFTを用いるAM-FPDにおいてと同様に、Siマイクロエレクトロニクスにおいても浅い接合ドーピングプロセスとして期待される。また、活性化したSi表面を非接触で評価できる有効な方法を提案し述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-23
著者
関連論文
- TFTの高性能化と課題
- Influence of grain size on gate voltage swing and threshold voltage of poly-Si thin film transistor (シリコン材料・デバイス)
- レーザー、アニール後のドープSi膜の電気的活性化(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- レーザー、アニール後のドープSi膜の電気的活性化(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
- Poly-Si TFTのs値としきい値に対するグレインサイズの影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- シリコンドットTFTメモリー
- シリコンドットTFTメモリー
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- エキシマレーザアニールによるポリSi薄膜中の効率的な不純物活性化(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- p型Si薄膜の結晶化と電気特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- p型Si薄膜の結晶化と電気特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- ガラス基板上不純物ドープSi薄膜のアニールによる電気的活性化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 0.1μmMOSトランジスタに対するエキシマレーザーアニール
- ED2000-45 / SDM2000-45 0.1μmMOSトランジスタに対するエキシマレーザーアニール
- 基板温度110℃で作製した低温poly-Si TFT
- 基板温度110℃で作製した低温poly-Si TFT
- Siドット薄膜トランジスタメモリ
- Siドット薄膜トランジスタメモリ
- フォトセンサダイオードのためのスパッタ法によるSi膜の特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- フォトセンサダイオードのためのスパッタ法によるSi膜の特性(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- UV/可視ラマン分光法によるレーザー結晶化ポリシリコン薄膜の応力・結晶性の評価(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 高濃度Si薄膜中の不純物活性化 : ELAによるSi薄膜中P原子の高効率活性化(シリコン関連材料の作製と評価)
- エキシマレーザアニールによるポリSi薄膜中の効率的な不純物活性化(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- SiトランジスタにおけるELAの応用,AWAD2006)
- SiトランジスタにおけるELAの応用
- 超低温ポリSi TFTプロセス(U-LTPS)(半導体Si及び関連材料・評価)
- Siマイクロエレクトロニクスのための紫外光レーザーアニールによる浅い接合形成(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- UV/可視ラマン分光法によるレーザー結晶化ポリシリコン薄膜の応力・結晶性の評価(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- ガラス基板上不純物ドープSi薄膜のアニールによる電気的活性化(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- Siマイクロエレクトロニクスのための紫外光レーザーアニールによる浅い接合形成(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- SPC、ELA法によるポリSi薄膜への有効な不純物活性化ドーピング
- SPC、ELA法によるポリSi薄膜への有効な不純物活性化ドーピング
- SPC、ELA法によるポリSi薄膜への有効な木純物活性化ドーピング
- TFTの高性能化と課題
- TFTの高性能化と課題
- TFTの高性能化と課題
- フォトセンサダイオードのためのスパッタ法によるSi膜の特性
- Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション
- フォトセンサダイオードのためのスパッタ法によるSi膜の特性
- Poly-Si TFTのS値としきい値に対するグレインサイズの影響
- a-Si、c-Si薄膜pinフォトセンサのi層長さ依存性に関するシミュレーション
- 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- RFスパッタ法により製膜したSiO_2及びSiN薄膜の電気特性評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 青色半導体レーザアニールによるポリイミド基板上薄膜シリコンの結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 青色半導体レーザアニールによる薄膜シリコンの結晶状態の制御(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- RFスパッタ法により製膜したSiO_2及びSiN薄膜の電気特性評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 青色半導体レーザアニールによるポリイミド基板上薄膜シリコンの結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 青色半導体レーザアニールによる薄膜シリコンの結晶状態の制御(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 青色半導体レーザアニールによるポリイミド基板上薄膜シリコンの結晶化
- RFスパッタ法により製膜したSiO_2及びSiN薄膜の電気特性評価
- 高性能ポリシリコンTFTに向けたスパッタ製膜したリンドープシリコン膜の結晶化