Siドット薄膜トランジスタメモリ
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概要
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低温poly-Si薄膜トランジスタのゲート酸化膜にSi微結晶(Siドット)アレイよりなる浮遊ゲートを有するメモリを作製した.基板として石英を用いたが, 全てのプロセスはガラス基板を用いることが可能な400℃以下で行われた.また, 低温でSi微結晶を作製する方法として, 350℃以下の温度でPECVD法により作製した化学量論的に過剰にSiを含むSi酸化膜にXeClエキシマレーザーを照射によるアニーリングを行うと, 過剰なSiが微結晶としてSi酸化膜内に析出する方法を開発した.作製された素子は, ゲート電極に±20V, 10msのパルス電位を加えることで±2V程度の閾値シフトを示した.データ保持時間は10^3s程度であり, 10^4回程度まで書き込み/消去を繰り返しても閾値シフトの大きさは減少しなかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-02-09
著者
-
野本 和正
ソニー株式会社先端マテリアル研究所融合領域研究部
-
野本 和正
ソニー(株)マテリアル研
-
野口 隆
琉球大学工学部
-
野本 和正
ソニー(株)セミコンダクタネットワークカンパニー
-
野口 隆
ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所
-
碓井 節夫
ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所
-
Gosain Dharam
Frontier Science Laboratory, Sony Corporation
-
森 芳文
ソニー(株)フロンティアサイエンス研究所
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