青色半導体レーザアニールによるポリイミド基板上薄膜シリコンの結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
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概要
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青色半導体レーザを用いて、ポリイミド上に形成した薄膜シリコンの結晶化を試みた。レーザ照射によって表面平坦性を保ったまま結晶化に成功し、粒径50nm程度の均一な結晶粒をほぼ100%の結晶化率で得られることが分かった。
- 2012-04-20
著者
-
野口 隆
琉球大学工学部
-
鈴木 俊治
琉球大学工学部
-
岡田 竜弥
琉球大学工学部
-
佐保田 英司
日立コンピュータ機器(株)
-
ムジラネザ ジャン
琉球大学工学部
-
白井 克弥
琉球大学工学部
-
松島 英紀
日立コンピュータ機器(株)
-
橋本 隆夫
日立コンピュータ機器(株)
-
荻野 義明
日立コンピュータ機器(株)
-
松島 英樹
日立コンピュータ機器
-
荻野 義明
日立コンピュータ機器
-
橋本 隆夫
日立コンピュータ機器
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