ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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ミリ秒超急速熱処理(URTA)中のSiウェハ内温度変化を測定する技術を開発した。URTA中のSiウェハに赤外レーザーをプローブ光として照射して測定した実時間反射率波形を解析することで、Siウェハの実時間温度変化をミリ秒時間分解能で決定することが出来た。本測定法は光学干渉に基づいているため温度変化に対する感度が高く、10^4〜10^5K/sという高い加熱・冷却レート下でも理想的には2K程度の高い測定温度精度が期待できる。したがって、本測定法がミリ秒時間分解非接触測定技術として有効であることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-12-07
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
東 清一郎
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広大院先端研
-
古川 弘和
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
岡田 竜弥
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
加久 博降
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
岡田 竜弥
琉球大学工学部
-
宮崎 誠一
広大
-
加久 博隆
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
Department Of Orthopaedic Surgery Kanazawa University School Of Medicine
-
岡田 竜弥
琉球大学 工学部
-
東 清一郎
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
-
村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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