Y_2O_3/Si(100)系のエネルギーバンドアライメントの決定(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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有機錯体原料を減圧O_2雰囲気中(〜10^2Pa)で昇華・反応させて、Si(100)基板上にイットリウム酸化膜を堆積させて、界面の化学結合状態及びエネルギーバンドアライメントを分析した。350℃膜堆積後、酸素雰囲気中500℃で熱処理すると、膜厚1.6nmのY原子の混入のほとんどないSiO_2膜がSi基板との界面に形成されることが分った。01s光電子エネルギー損失スペクトルのしきい値エネルギーよりY_2O_3膜のバンドギャップ(Eg)は、0.9〜3・8nmの膜厚領域において6.00eV一定と求められた。また、500℃O_2アニールにおいてもEgは変化しないことが分った。価電子帯スペクトルの波形分離結果からY_2O_3/Si(100)界面の価電子帯不連続量は3.30eVと決定できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-19
著者
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
村上 秀樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
中川 博
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
山岡 真左則
広島大学大学院先端物質化学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
-
村上 秀樹
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
大田 晃生
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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