Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 : Ruの実効仕事関数変化の起源
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2008-06-02
著者
-
大田 晃生
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
森 大樹
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
吉永 博路
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
門島 勝
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
-
大田 晃生
広島大学大学院 先端物質科学研究科
関連論文
- 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低しきい値pMISFETに向けたAl_2O_3を堆積させたHfO_2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ge MISおよびGe/Metal接合の化学結合状態および電気的特性評価 (シリコン材料・デバイス)
- 熱酸化および低温プロセスを用いて形成したGeO_2/Ge構造の界面サブオキサイドの光電子分光分析(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- TiO_2/Pt界面の化学結合および電子状態評価(ショートプレゼンテーション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- プラズマCVD SiNx薄膜の深さ方向化学組成および欠陥密度計測(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- Poly-Si/SiGe/Si積層ゲートにおける原子拡散評価(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- シリコン量子ドットを用いたメモリーデバイスの開発
- Sub-0.1μm nMOSFETにおけるn^+poly-Si側壁/SiO_2界面近傍の不純物空乏化現象の定量評価
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 酸素雰囲気アニール中のHfO_2/SiO_2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極薄LaO_xからHfO_2/SiO_2層へのLa原子の拡散(ショートプレゼンテーション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 3.1 熱プラズマによるアモルファスシリコンの結晶化(3.結晶化・相変化制御への応用,熱流を伴う反応性プラズマを用いた材料合成プロセス)
- TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 : Al拡散による実効仕事関数変化の緩和(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 : Ruの実効仕事関数変化の起源(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
- 金属/高誘電率絶縁膜ゲートスタックの光電子分光分析
- ミリ秒急速熱処理におけるSiウェハ内温度変化のその場観測(シリコン関連材料の作製と評価)
- メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
- AFM/KFMによるSi量子ドット/SiO_2多重集積構造の帯電電荷分布計測(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Si量子ドットへのB添加が発光特性へ及ぼす影響(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 高電子移動度0.9nm-EOT TaSix/HfSiONゲートスタックの形成(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- TiO_2へのY添加が電子状態および抵抗変化特性に与える影響(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- Ge MISおよびGe/Metal接合の化学結合状態および電気的特性評価(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- (100),(110)基板上High-κ/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- (100),(110)基板上High-κ/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- HfO_2/Ge(100)構造における光電子分光分析(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- AFM/KFMによるSi量子ドット/SiO_2多重集積構造の帯電電荷分布計測(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- Si量子ドットへのB添加が発光特性へ及ぼす影響(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
- 光電子分光法によるHfO_2/SiONx/Ge(100)スタック構造の熱的安定性評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- B添加Pd_2Siフルシリサイドゲートの仕事関数変調(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- シリコン量子ドットのフローティングゲートMOSデバイス応用
- SiO_x薄膜の超急速熱処理によるSi結晶形成およびその発光特性評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用,AWAD2006)
- PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用
- PドープSi量子ドットのフローティングゲートへの応用
- SiO_x薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
- SiOx薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用(ナノ材料・プロセス,機能ナノデバイス及び関連技術)
- AFM/ケルビンプローブ法による孤立Siドット中の保持電荷間のクーロン相互作用の検証(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- Si量子ドット立体集積構造の発光ダイオードへの応用(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- AFM/ケルビンプローブ法による孤立Siドット中の保持電荷間のクーロン相互作用の検証(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- Si量子ドット立体集積構造の発光ダイオードへの応用(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 誘電性AFM探針によるゲルマニウムナノクリスタル/SiO_2の局所伝導評価
- 誘電性AFM探針によるゲルマニウムナノクリスタル/SiO_2の局所伝導評価
- 導電性AFM探針による微結晶ゲルマニウム薄膜の局所電気伝導評価(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- 熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理及びポストメタライゼーションアニールを用いた高品質SiO_2膜及びSiO_2/Si界面の形成(シリコン関連材料の作製と評価)
- polySi/HfAlOx/SiONゲートスタックの経時絶縁破壊(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 光電子分光分析によるHfAlOx/Si(100)系スタック構造における界面反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- シリコン系量子ドットのフローティングゲートMOSデバイス応用
- 光照射下におけるSi量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタの電荷注入・放出特性(新型不揮発性メモリ)
- Si量子ドットフローティングゲートMOSFETにおける多段階電子注入(新型不揮発性メモリ)
- メタルゲート/高誘電率絶縁膜スタックの最前線
- 先端CMOS向けHigh-k/メタルゲートスタック技術,AWAD2006)
- 先端CMOS向けHigh-k/メタルゲートスタック技術
- 先端CMOS向け High-k/ メタルゲートスタック技術
- 光電子分光法によるAl_2O_3/SiN_x/poly-Siスタック構造における界面反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低温NH_3処理によるHfO_2/Si(100)構造への窒素導入と化学結合状態評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 窒素添加Y_2O_3ゲートスタックにおける化学構造及び電気的特性評価(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- UV-O_3酸化したGe(100)およびSi(100)表面の光電子分光分析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2/SiN_x/Si(100)スタック構造における界面酸化反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 導電性AFM探針による微結晶ゲルマニウム薄膜の局所電気伝導評価(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- AIO_x:N/Si(100)界面の熱的安定性評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ZrO_2/Si(100)系の界面遷移層評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Y_2O_3/Si(100)系のエネルギーバンドアライメントの決定(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- NiSi/SiO_2界面近傍の化学結合状態およびNiSi層の実効仕事関数評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Poly-Si/SiGe/Si積層ゲートにおける原子拡散評価(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 分子層制御CVDによるAlO_x:Nゲート絶縁膜の形成と電気的特性評価
- CVD AlO_x : N/Si(100)ヘテロ接合における化学結合状態分析とエネルギーバンドプロファイルの決定
- 積層構造Si量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタにおける電荷注入・放出特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 積層構造Si量子ドットフローティングゲートMOSキャパシタにおける電荷注入・放出特性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- Si量子ドットフローティングゲートMOSFETにおける動作解析(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- Si量子ドットフローティングゲートMOSFETにおける動作解析(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- ジルコニウム酸化膜/シリコン界面の障壁高さ及び欠陥密度評価
- しきい値電圧制御可能なゲートファースト メタルゲート/デュアル High-k CMOS
- SiO_x薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用
- SiO_x薄膜への熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理によるSiナノ結晶形成とそのフローティングゲートメモリ応用
- ゲルマニウム核シリコン量子ドットの自己組織化形成
- ゲルマニウム核シリコン量子ドットの自己組織化形成
- 金属/GeO_2界面における化学結合状態の光電子分光分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ge(100)表面の極薄TiO_xキャッピングによるHfO_2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- GeコアSiナノメートルドットの熱的安定性 : ラマン散乱分光及び光電子分光分析(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- 招待講演 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用 (電子デバイス)
- 招待講演 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用 (電子部品・材料)
- 招待講演 一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用 (シリコン材料・デバイス)
- 極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御 (シリコン材料・デバイス)
- TaOx層挿入によるHfO/Ge界面反応制御 (シリコン材料・デバイス)
- Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動 (シリコン材料・デバイス)
- Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 : Ruの実効仕事関数変化の起源
- TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 : Al拡散による実効仕事関数変化の緩和
- 極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Pt/SiO_x/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- As^+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- TaO_x層挿入によるHfO_2/Ge界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- リモートH_2プラズマ支援によるCoPtナノドットの高密度形成と帯電・帯磁特性評価(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- SiO_x/TiO_2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- TaO_x層挿入によるHfO_2/Ge界面反応制御