先端CMOS向けHigh-k/メタルゲートスタック技術,AWAD2006)
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概要
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CMOSデバイスの更なる性能向上に対しては、従来のような微細化技術のみでは既に限界に来ており、歪シリコン技術、メタルゲート技術、High-kゲート絶縁膜技術、薄膜ボディSOI、マルチゲート構造などの新しい技術の導入と共にスケーリングを行っておく必要がある。これらの中でもゲート電極とゲート絶縁膜技術(ゲートスタック技術)は今後の微細化CMOSにおける共通の課題であると思われる。本講演では、今後のゲートスタック技術としてHigh-kゲート絶縁膜とメタルゲート電極を取り上げ、最近の開発成果について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-26
著者
-
奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
-
奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
-
奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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