大容量メモリ混載システムLSI用低温プロセスの開発(<特集>先端CMOS及びプロセス関連技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
大容量メモリを混載した高性能システムLSIを開発するために、600度以下の低温でDRAMセルを形成するプロセスを開発した。トランジスタ形成後のサーマルバジェットを600度以下にすることで、不純物の不活性化によるトランジスタ性能の劣化を抑えることができる。我々の開発したDRAMは600度以下の低温プロセスとW-polymetal dual workfunction transistorを採用しているため、工程を追加することなく上記システムLSIを実現できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-11-22
著者
-
奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
-
奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
-
石井 賢
株式会社東芝セミコンダクター社
-
幸山 裕亮
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
田中 正幸
東芝
-
田中 正幸
株式会社東芝セミコンダクター社
-
宮下 俊彦
(株)富士通研究所
-
赤坂 泰志
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
吉田 英司
富士通研究所
-
宮下 俊彦
富士通研究所
-
新田 博行
株式会社東芝セミコンダクター社
-
chou P.H.
Winbond electronics corp.
-
橋本 浩一
富士通研究所
-
田中 徹
富士通研究所
-
奈良 安雄
富士通研究所
-
橋本 浩一
富士通
-
田中 徹
(株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所
-
幸山 裕亮
株式会社東芝セミコンダクター社
関連論文
- 二次元三角格子遍歴磁性体PdCoO_2のNMR
- トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nm高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低しきい値pMISFETに向けたAl_2O_3を堆積させたHfO_2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構(シリコン関連材料の作製と評価)
- 金属電極/high-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 先端DRMAでのSiONゲート絶縁膜における窒素プロファイルと素子特性について(プロセス科学と新プロセス技術)
- 23aYH-11 軟X線吸収発光分光法によるシリコン酸窒化膜の元素選択的価電子状態の観測(23aYH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 0.25μmロジックデバイスのための10μm^2フルCMOS-SRAMテクノロジー
- 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 酸素雰囲気アニール中のHfO_2/SiO_2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- TiAlN/HfSiONゲートスタックにおけるX線光電子分光分析 : Al拡散による実効仕事関数変化の緩和(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ru/HfSiONゲートスタックのバックサイドX線光電子分光分析 : Ruの実効仕事関数変化の起源(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
- メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
- 28pPSB-42 デラフォサイト型遷移金属酸化物の物性及び電子構造
- 23aPS-86 電気伝導性デラフォサイト型遷移金属酸化物の物性に及ぼす置換効果
- デラフォサイト型遷移金属酸化物(Pd,Pt)CoO_2の単結晶育成 : バルク成長VI
- 22aZG-10 電気伝導性デラフォサイト型遷移金属酸化物の単結晶育成と植物
- 29p-PSA-27 金属伝導性酸化物PdCoO_2の単結晶育成および物性測定とその伝導性の起源
- PdCoO_2の光電子分光
- 金属伝導性酸化物PdCoO_2およびPtCoO_2のマンガン置換単結晶育成およびそのスピングラス的磁性
- SrCuO_2の角度分解光電子分光;Spin-Charge Separation?
- SrCuO_2の単結晶育成 : 超伝導II
- Bi系酸化物超伝導体のガラス-結晶転移 : 超伝導酸化物
- トランジスタ領域毎に最適化された複数歪技術を用いる45nmノード高性能・低リークバルクロジックプラットフォーム技術
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD-2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- 65nmノード用高性能25nm CMOS技術
- Sub-50nm MOSFETにおけるポリゲート起因キャリア分布ばらつきの抑制(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高電子移動度0.9nm-EOT TaSix/HfSiONゲートスタックの形成(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 大容量メモリ混載システムLSI用低温プロセスの開発(先端CMOS及びプロセス関連技術)
- ポリメタルゲート電極技術
- W/poly-Si 積層構造による低抵抗ゲート電極(poly-metal ゲート)
- Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
- Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- テトラクロロシラン-シリコン窒化膜によるボロン突き抜けの抑制および高性能デュアルゲートDRAMの実現
- テトラクロロシラン-シリコン窒化膜によるボロン突き抜けの抑制および高性能デュアルゲートDRAMの実現
- FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- (100),(110)基板上High-κ/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- (100),(110)基板上High-κ/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- インバータ特性電流を用いた低消費電力CMOS回路用デバイス設計
- 極薄HfSiONゲート絶縁膜の絶縁破壊時間の決定
- キャパシタレス1T-DRAMのスケーラビリティ : ダブルゲートFinDRAMの提案(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- アルカリ金属添加CuIuSe_2薄膜の構造と光学的特性
- アルカリ金属添加CuInSe_2薄膜の構造と光学的特性
- アルカリ金属添加CuInSe_2薄膜の構造と光学的特性
- レーザーアブレーション法によるカルコパイライト薄膜の作製
- メタルゲート/高誘電率絶縁膜スタックの最前線
- 先端CMOS向けHigh-k/メタルゲートスタック技術,AWAD2006)
- 先端CMOS向けHigh-k/メタルゲートスタック技術
- 先端CMOS向け High-k/ メタルゲートスタック技術
- 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス
- EBブロック露光におけるマスクバイアス条件
- 部分一括露光における近接効果補正
- 短波長光励起反応を利用したエッチング技術
- 光刺激脱離によるSi上の酸化物の低温除去とSiホモエピタキシー
- 熱酸化シリコンの照射損傷による構造変化
- ディープサブミクロンCMOSインバータの遅延時間削減への検討
- Systematic studies on Fermi level pining of Hf-based high-k gate stacks
- Full-Metal-Gate Integration of Dual-Metal-Gate HfSiON CMOS Transistors by Using Oxidation-Free Dummy-Mask Process
- Guiding Principle of Energy Level Controllability of Silicon Dangling Bond in HfSiON
- Wide Controllability of Flatband Voltage in La_2O_3 Gate Stack Structures : Remarkable Advantages of La_2O_3 over HfO_2
- First-principles studies on metal induced gap states (MIGS) at metal/high-k HfO_2 interfaces
- しきい値電圧制御可能なゲートファースト メタルゲート/デュアル High-k CMOS
- ロジックとの混載に適した反転スタックキャパシタ(RSTC)DRAMセル構造の提案
- 金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構
- Material Selection for the Metal Gate/High-k Transistors
- 512 現像剤流れ解析のための個別要素法解析パラメータ設定法(OS.5 メッシュフリー/粒子法とその関連技術(3),オーガナイズドセッション講演)
- 401 解像度可変型MPS法の基礎的研究(OS10.メッシュフリー/粒子法とその関連技術(1),オーガナイズドセッション)
- エネルギー効率からみたパワーゲーティングとDVFSの比較(低電圧・低消費電力ディジタル回路,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- エネルギー効率からみたパワーゲーティングとDVFSの比較(低電圧・低消費電力ディジタル回路,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)