CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
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概要
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CuInSe_2系薄膜太陽電池は高効率・低価格・無劣化であることから注目を集めている。本研究では、CuInSe_2薄膜における不純物によるドーピング効果を明らかにすることを目的とし、イオン注入によりMgをCuInSe_2エピタキシャル薄膜に導入し、その効果について評価を行った。注入・アニール後の試料の伝導型はすべてn型で、キャリア濃度はMg注入量の増加に伴って増加した。このことからMgはドナーとして慟くことが明らかになり、その活性化エネルギーとして約53meVが得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-20
著者
-
大島 武
日本原子力研究開発機構
-
吉田 明
豊橋技術科学大学工学部
-
吉田 明
豊橋技科大
-
大島 武
原子力研究開発機構
-
岡田 漱平
日本原子力研究所・高崎
-
岡田 漱平
日本原子力研究所
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学
-
吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
伊藤 久義
日本原子力研究所高崎研究所
-
伊藤 久義
原研
-
伊藤 久義
日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部
-
大島 武
原研
-
田中 徹
豊橋技術科学大学 工学部
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
-
田中 徹
(株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所
-
大島 武
(独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
-
吉田 明
豊橋技術科学大学
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