真空紫外光励起CVDによるZn,ZnOの薄膜の作製と評価
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概要
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ZnO膜は、現在用いられている材料より安定性がよく、安価で、光の透過効率の上昇が見込める。本研究では、ZnOに着目し、室温における光CVD法によって薄膜を作製しその評価をした。光源には、有機金属の吸収の大きい真空紫外領域において高輝度で準単色光のアンジュレータ放射と高出力が得られるエキシマレーザを用い、原料ガスとして有機金属のジェチル亜鉛と純酸素を用いた。成膜後XPSにより薄膜の組成、結合分折を行った。これにより、ZnOは室温における光CVD法で成膜が可能であることが分かった。また、原料のVI, II比を変化させて成膜した場合の酸素の組成比,及び結合状態はアンジュレータとエキシマレーザでは異なる傾向を示した。これは光源の励起エネルギーの違いにより成膜過程に相違があることが推測される。
- 1994-05-19
著者
-
吉田 明
豊橋技術科学大学工学部
-
前田 幸治
豊橋技術科学大学
-
吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
岡部 秀幸
豊橋技術科学大学工学部
-
池田 真司
豊橋技術科学大学工学部
-
吉田 明
豊橋技術科学大学
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