分子軌道法を用いたa-Si:Hにおける光誘起構造変化の検討
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概要
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アモルファスシリコン太陽電池の高効率化および光照射劣化は、膜中の水素原子の挙動に支配される。水素原子の移動およびSi原子との結合状態の変化により、ギャップ準位が生成される。ここでは、分子軌道法(DV-Xα法)を用いて、欠陥準位および水素原子との結合電子状態を計算し、光照射劣化との関連を調べた。
- 1993-10-29
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