ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
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概要
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ZnGeN_2の属するII-IV-V_2化合物半導体は,一般的に大きな非線形光学定数をもち,ワイドバンドギャップの直接遷移型の化合物が多数見出されている.またII-IV-V_2化合物はGaNやAlNのIII族窒化物との格子不整合が小さいことからも,III族窒化物との組み合わせによる新しいデバイス実現の可能性をもっている.ZnGeN_3は,リモートプラズマ励起有機金属気相エピタキシャル成長(remote-plasma enhanced metalorganic vapor phase epitaxy : RPE-MOPVE)法を用いてサファイア基板(1012)面上に直接成長を行った.X線回折(x-ray diffraction:XRD),反射高速電子線回折(Reflection high-energy electron diffraction:RHEED)により単結晶ZnGeN_2の成長を確認した.ZnGeN_2の光学的特性をフォトルミネッセンス(Photoluminescence:PL)測定,反射率(Reflectance)透過率(Transmittance)測定によって評価した.その結果, ZnGeN_2は室温ではバンドギャップエネルギーは約3.leV、PLスペクトルのバンド端近傍の2つのピークはそれぞれ束縛励起子(biding exciton:BE)による発光、自由励起子(freeexciton:FE)による発光であることが分かり、その励起子束縛エネルギーは,それぞれ29.8meV、32.3meVとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-05-06
著者
-
吉田 明
豊橋技術科学大学工学部
-
吉田 明
豊橋技科大
-
岡田 浩
豊橋技術科学大学
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
吉田 明
神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム
-
重久 慶
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
三崎 貴生
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
-
吉田 明
豊橋技術科学大学
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